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삼성전자, 12나노급 D램 양산…메모리 초격차 벌린다

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Thursday, May 18, 2023, 14:05:22

이전 세대 제품 대비 20% 생산성 향상
AMD 플랫폼 기반 호환성 검증 마쳐
지난 12일 ‘CXL 2.0’ D램 개발도 이루어져

 

인더뉴스 권용희 기자ㅣ삼성전자[005930]는 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔습니다.

 

삼성전자는 "12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성은 약 20% 향상됐고, 소비 전력은 약 23% 개선됐다"면서 "소비 전력 개선으로 데이터 센터 등을 운영하는 데 전력 운영 효율을 높일 수 있다"고 강조했습니다.

 

'12나노급 공정'은 트랜지스터 채널 길이가 12나노미터(㎚·10억분의 1m)라는 의미입니다. 삼성전자는 지난 2021년 10월 14나노 D램을 개발한 바 있습니다.

 

삼성전자는 유전율이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸습니다. 커패시터 용량이 커짐에 따라 데이터 구분이 명확해지고 오류 발생이 줄어든다고 설명했습니다.

 

동작 전류 기술과 데이터 구분 능력을 향상시키는 노이즈 저감 기술 등도 적용했습니다.

 

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원합니다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD영화 2편을 처리할 수 있는 속도입니다.

 

삼성전자는 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검층을 마친 바 있습니다. 향후 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등의 고객 수요에 맞춰 공급을 진행하겠다는 계획입니다.

 

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔습니다.

 

 

차세대 컴퓨팅 시장 수요 맞춰 포트폴리오 다각화 나서

 

삼성전자는 12나노급 D램을 포함하여 차세대 컴퓨팅 시장 수요에 맞춘 제품 포트폴리오 확장에 나서고 있습니다.

 

지난 12일 삼성전자는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발했다고 밝혔습니다.

 

CXL는 CPU와 함께 고성능 서버 시스템을 효율적으로 활용하기 위한 인터페이스입니다. 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어 인공지능, 머신러닝 등 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있습니다.

 

CXL 2.0 D램은 고속 인터페이스 규격인 PCle 5.0을 지원하며, 최대 35GB/s의 대역폭을 제공합니다.

 

메모리 풀링 기능도 지원합니다. 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶고 여러 호스트가 필요한 만큼 메모리를 나누어 사용할 수 있는 기술입니다.

 

 

삼성전자는 "메모리 풀링 기술은 CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용 할 수 있게 돕는다"며 "효율적인 메모리 사용이 가능해 서버 운영비를 절감 할 수 있다"고 설명했습니다.

 

삼성전자는 지난해 5월 CXL 1.1 기반 CXL D램을 개발을 진행한 바 있습니다.

 

삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장 최장석 상무는 "삼성전자는 CXL 컨소시엄의 이사회 멤버로서 CXL 기술을 선도하고 있다"면서 "데이터센터/서버/칩셋 등 글로벌 기업들과의 협력으로 CXL 생태계를 더욱 확장해 나갈 것"이라고 말했습니다.

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권용희 기자 brightman@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 차세대 모바일 낸드 솔루션 ‘ZUFS 4.0’ 개발

SK하이닉스, 차세대 모바일 낸드 솔루션 ‘ZUFS 4.0’ 개발

2024.05.09 10:43:17

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 온디바이스(On-Device) AI용 모바일 낸드 솔루션 제품인 'ZUFS(Zoned UFS) 4.0'을 개발하는 데 성공했다고 9일 밝혔습니다. 온디바이스 AI는 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술입니다. 스마트폰 기기가 자체적으로 정보를 수집하고 연산하도록 해 AI 기능의 반응 속도는 빨라지고 사용자 맞춤형 서비스 기능도 강화되는 장점이 있습니다. 이번 ZUFS는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품입니다. 스마트폰 앱에서 생성되는 데이터를 공간 구분 없이 동시에 저장했던 기존 UFS와 달리 여러 데이터를 용도와 사용 빈도 등 기준에 따라 각각 다른 공간에 저장해 스마트폰 OS의 작동 속도와 저장 장치의 관리 효율성을 높인다고 회사 측은 설명했습니다. 또한, 장시간 사용 환경에서 스마트폰 앱 실행 시간을 기존 UFS 대비 약 45% 향상시켰으며 저장 장치의 읽기, 쓰기 성능이 저하되는 정도가 UFS 대비 4배 이상 개선됨에 따라 제품 수명도 약 40% 늘어났다고 덧붙였습니다. SK하이닉스는 "ZUFS 4.0은 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는 데 최적화된 메모리반도체로 업계 최고 성능 구현을 통해 HBM으로 대표되는 초고성능 D램에 이어 낸드에서도 AI 메모리 시장을 이끌어 갈 것"이라며 "AI 붐이 도래하기 전인 2019년부터 고성능 낸드 솔루션에 대한 시장 수요가 발생할 것으로 내다보고 글로벌 플랫폼 기업과 협업해 ZUFS 개발을 시작했다"고 강조했습니다. SK하이닉스는 고객사에 제공한 초기 단계 ZUFS 시제품을 바탕으로 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격에 적합한 4.0 제품을 개발했다고 설명했습니다. 회사는 올해 3분기부터 ZUFS 4.0 제품 양산에 들어갈 계획으로 양산 제품은 향후 글로벌 기업들이 내놓을 온디바이스 AI 스마트폰들에 탑재될 예정입니다. 안현 SK하이닉스 부사장은 "빅테크 기업들이 자체 개발한 생성형 AI를 탑재한 온디바이스 개발에 집중하면서 여기에 필요한 메모리에 대한 요구 수준이 높아지고 있다"며 "고객 요구에 부응하는 고성능 낸드 솔루션을 적시 공급하는 한편, 세계 유수 기업들과의 파트너십을 강화해 '글로벌 1등 AI 메모리 프로바이더의 위상을 공고히 해나갈 것"이라고 말했습니다.


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