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IFRS17 기준서 확정..금융위 “보험사 연착륙 유도”

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Thursday, May 18, 2017, 18:05:01

보험부채 원가평가→시가평가 핵심..LAT 강화·부채듀레이션 단계적 확대 등

[인더뉴스 정재혁 기자] 2021년부터 보험사에 적용되는 새로운 보험계약 회계기준인 ‘IFRS17’의 기준서가 확정·발표됐다. 이에 금융당국은 책임준비금 적정성 평가(LAT) 개선안을 6월말까지 마련하는 등 IFRS17의 연착륙을 유도한다는 방침이다.

금융위원회는 18일 국제회계기준위원회(IASB)가 보험계약에 대한 새로운 국제회계기준인 IFRS17 기준서를 확정·발표했다고 밝혔다. 이로써 현행 국제회계기준인 ‘IFRS4’는 2020년까지 적용되고, 2021년부터 IFRS17로 대체될 예정이다.

금융위 관계자는 “IFRS17은 보험사가 보험가입자에게 약속한 보험금 지급 의무를 제대로 이행할 수 있는지 명확하게 나타내는 장점이 있다”며 “수입보험료 등 양적 규모 중심에서 보험사의 장기 회사 가치 중심으로 회계기준이 전환되는 의미”라고 말했다.


금융당국은 IFRS17 도입을 대비해 보험업계와 학계 등 보험산업 전체가 참여하는 ‘보험권 국제회계기준 도입준비위원회’를 지난 3월 출범해 운영 중이다. 위원회 산하에는 3개의 실무작업반(도입정착지원반·감독목적회계반·신지급여력제도반)이 설치돼, IFRS17 연착륙 지원방안과 리스크 감독제도 개선 방안을 검토 중이다.

먼저, 금융당국은 IFRS17 도입 전 선제적인 대비와 연착륙 성공을 위해 보험사의 리스크 관리를 단계적으로 강화해 나갈 방침이다. 책임준비금 적정성 평가(LAT)의 실효성을 제고해 단계적으로 IFRS17 수준에 준하는 책임준비금을 적립하도록 유도한다.

책임준비금 적정성 평가는 보험사의 책임준비금(고객에게 돌려줘야 할 돈)을 원가평가 하되, 미래 현금 흐름을 평가해 부족액을 추가 적립하도록 하는 제도이다. 금융당국은 오는 6월말에 도입준비위원회 심의를 통해 개선 방안을 확정하고, 하반기 규정 개정을 거쳐 올해 12월부터 적용할 예정이다.

보험부채 듀레이션도 현행 20년에서 30년으로 확대한다. IFRS17은 보험부채를 시가로 평가하기 때문에, 계약이 만기가 될 때까지 보험부채가 금리의 영향을 받게 된다. 따라서 현재 20년인 보험부채 듀레이션을 늘릴 수밖에 없는 것인데, 금융당국은 보험사에 올 충격을 감안해 단계적으로 듀레이션을 늘리기로 했다.

이 밖에 자본성이 우수한 신종자본증권의 발행 목적을 폭넓게 인정해, 보험사가 선제적으로 자본 확충을 할 수 있도록 유도한다. 

금융당국은 또한 IFRS17 체계에 부합하는 리스크 감독체계를 구축한다는 방침이다. 시가평가 기반의 신지급여력제도(가칭 K-ICS)를 마련하고, 급격한 지급여력비율 변화를 방지하기 위해 충분한 경과조치를 준비하기로 했다.

손주형 금융위 보험과장은 “IFRS17은 보험산업의 패러다임이 양적 성장에서 질적 성장 중심으로 변화하는 계기가 될 것으로 기대한다”며 “IFRS17 최종 기준서를 면밀히 분석해 2021년부터 전 보험사에 차질 없이 도입할 계획이다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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