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김정태 회장 ‘3연임’ 대항마, 김한조·최범수는 누구?

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Wednesday, January 17, 2018, 16:01:04

김한조 전 외환은행장, 하나·외환은행 통합작업 지휘..현 하나금융나눔재단 이사장 재직
최범수 전 KCB 사장, 외환위기 때 은행 합병·퇴출 개입..신한금융지주 부사장 6년 역임

[인더뉴스 정재혁 기자] 하나금융지주를 이끌어 갈 차기 회장 후보 3인이 결정됐다. ‘3연임’에 도전하는 김정태 현 하나금융지주 회장을 비롯해 김한조 전 외환은행장, 최범수 전 한국크레딧뷰로(KCB) 사장이 그 주인공들이다. 

17일 은행권에 따르면 하나금융지주 회장후보추천위원회(위원장 윤종남, 이하 회추위)는 지난 16일 8번째 회의를 열고 김정태 회장이 포함된 총 3명의 최종 후보군 리스트(Short list)를 확정했다. 김 회장 외에 선정된 후보는 김한조 전 외환은행장, 최범수 전 한국크레딧뷰로 사장이다.

김한조 전 외환은행장은 경희고와 연세대 불문과를 졸업한 뒤 1982년 외환은행에 입행했다. 2013년 외환캐피탈 사장으로 떠날 때까지 무려 30여년간 외환은행에서만 근무한 정통 ‘외환은행맨’이다. 

김 전 행장은 2014년에 내부출신으로는 두 번째로 은행장 자리에 올랐다. 당시 김정태 회장은 김 전 행장이 외환은행 내부 사정에 능통하고 직원들의 신망이 높다는 점을 고려해, 하나은행과 외환은행 간 통합작업을 맡긴 것으로 알려졌다. 이후 김 전 행장은 하나금융그룹 부회장을 거쳐 현재 하나금융나눔재단 이사장으로 재직 중이다.

최범수 전 한국크레딧뷰로 사장은 경남고와 서울대 경제학과를 졸업하고 미국 예일대에서 경제학박사 학위를 취득한 경제 전문가다. IMF 외환위기 당시 이헌재 금융감독위원장 밑에서 상업·한일은행 합병, 제일은행 매각 등 부실은행 퇴출에 앞장섰다.

그 뒤에 최 전 사장은 국민은행 전략기획담당 부행장을 거쳐 신한금융지주로 자리를 옮겨 경영전략담당 부사장을 6년간 지냈다. 학계 출신으로 장기간(6년) 금융지주사 부사장을 역임한 것은 이례적이라는 게 금융권 안팎의 평가다. 그만큼 능력을 인정 받았다는 것.

두 후보인 김한조 전 행장과 최범수 전 사장에 대한 금융권 안팎의 평가는 다소 엇갈린다. 김 전 행장의 경우 김정태 회장의 측근이라는 점에서 후보 경쟁력이 사실상 없다는 반응이 큰 반면, 최범수 사장은 ‘다크호스’가 될 수도 있다는 평이다. 하지만, 대다수는 김정태 회장의 3연임 가능성을 높게 봤다.

한 금융권 관계자는 “김한조 전 행장은 김정태 회장 밑에서 외환은행장과 그룹 부회장을 역임하는 등 유효한 후보로 보기 어렵다”며 “최범수 전 사장의 경우 능력 면에선 회장 후보로 손색이 없지만, 김정태 회장을 밀어낼 수 있을지는 의문”이라고 말했다.

한편, 3연임에 도전하는 김정태 회장은 경남 부산 출신으로 경남고와 성균관대 행정학과를 졸업했다. 1981년 서울은행에 입행한 뒤, 신한은행을 거쳐 1992년에 하나은행의 창립멤버로 참여했다. 하나은행에서는 부행장과 은행장을 역임한 뒤 2012년 회장에 선임됐고, 2015년에는 연임에 성공했다.

회추위는 오는 22일, 최종 후보군에 대한 프리젠테이션(PT)과 심층면접 및 질의 응답을 거쳐 차기 회장 후보를 확정할 예정이다. 윤종남 하나금융지주 회추위 위원장은 “마지막까지 공정하고 투명한 절차를 유지해, 국내 금융지주사 CEO 선발의 모범사례를 남길 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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