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조코위 대통령 “인도네시아 수도 보르네오섬으로 옮긴다”

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Tuesday, August 27, 2019, 08:08:08

자카르타서 1400km 거리 보르네오섬 ‘동칼리만탄’ 지역 이전 발표

 

“인도네시아 수도를 자카르타서 보르네오섬으로 옮긴다.”

 

조코 위도도(일명 조코위) 인도네시아 대통령이 새 수도를 보르네오섬의 동(東)칼리만탄에 건설하겠다고 26일 공식 발표했다.

 

그는 대통령궁에서 기자회견을 열고 “새 수도는 동칼리만탄의 북프나잠 파세르(Penajam Paser Utara)군과 쿠타이 카르타느가라(Kutai Kartanegara)군 일부가 최적지다”라고 발표했다. 새 수도는 자카르타에서 약 1400㎞ 떨어져 있다

 

보르네오섬은 세계에서 세 번째로 큰 섬이다. 인도네시아-말레이시아-브루나이 등 3개 국가의 영토로 나뉘어 있다. 보르네오섬은 세계에서 가장 많은 석탄 매장량과 오랑우탄의 주요 서식지 중 하나로도 알려져 있다.

 

보르네오 동칼리만탄주 발릭판판 외곽지역이 최적지로 선택한 이유는 홍수, 쓰나미와 지진, 산불, 화산 등 재난 위험이 적고, 지리적으로 인도네시아의 중앙에 있기 때문이라는 설명이었다.

 

자카르타는 인구가 집중되어 있고, 공간이 협소해 만성 교통체증으로 시달려왔다. 대기 오염이 심하고 물자원 부족도 심각했다. 도시의 5분의 2는 해수면 아래에 있고 그 중 일부는 1년에 20㎝ 아래로 가라앉을 정도로 침몰 위험이 컸다.

 

 

인도네시아 정부는 신행정수도 건설 1단계에서는 인구 150만 명을 수용한다는 계획이다. 이 중에는 20만 명의 공무원과 2만 5000여 명의 경찰 및 군 병력이 포함된다. 신행정수도 건설비용은 대략 330억달러(약 40조원)로 추산된다.

 

수도 이전은 2024년부터 본격적으로 시작할 것으로 보인다. 이전 비용은 자카르타 관공서 건물을 임대해 충당하는 계획이 복안이다.

 

메단 머르데까 거리(Jalan), 수디르만 거리, 탐린 거리 등 자카르타 중심가에 위치한 정부 소유 건물을 민간기업에 임대하거나 민간기업과 합작해서 상업적으로 운영하는 방안이다.

 

정부 소유 건물을 매입하는 개인이나 기업에게 새 수도에 인프라 건설 의무를 부여하는 스왑방식으로 건물을 매각할 수도 있다는 것.

 

인도네시아 정부는 인구의 57%가 자바섬에 몰려 있고 경제력 편중 현상이 심각하다고 판단해 칼리만탄에 행정수도를 건설하고, 자카르타는 경제와 산업 중심지로 역할을 분산하기로 정했다.

 

조코 위도도 대통령은 “자카르타는 세계적인 비즈니스와 금융 도시로 계속 개발할 것이다”라고 말했다.

 

 

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박명기 기자 pnet21@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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