검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

News Plus 뉴스+

GS건설, C937 현장 싱가포르 터널지하공간학회서 ‘대상’ 수상

URL복사

Monday, September 23, 2019, 17:09:14

2016년에 ‘싱가포르 건국 50주년 기념 50대 기술공학 업적’에 선정된 바 있어
싱가포르 육상교통청으로부터 설계·시공·안전관리 및 공기 준수 능력 인정받은 것

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ GS건설이 시공한 싱가포르 C937 현장이 싱가포르 터널지하공간학회가 주관하는 올해의 프로젝트 2019에서 대상에 선정됐다고 23일 밝혔다.

 

올해 신설된 이번 상은 싱가포르 터널 및 지하공사의 품질을 높이는 동시에 공사 관계자들에게 좋은 자극을 주겠다는 목표로 개설됐다. 싱가포르는 지리적 특성상 터널 등 지하 공사가 잦은 편이기 때문이다.

 

GS건설 관계자는 “특히 향후 싱가포르의 터널 및 지하 공사 등에서 모범이 될만한 우수한 프로젝트를 선정한다는 점에서 이번 수상의 의미가 더욱 깊다”고 설명했다.

 

올해 신설된 이번 상은 싱가포르 터널 및 지하공사의 품질을 높이는 동시에 공사 관계자들에게 좋은 자극을 주겠다는 목표로 개설됐다. 싱가포르는 지리적 특성상 터널 등 지하 공사가 잦은 편이다.

 

C937 프로젝트는 리버벨리가에 위치한 총 연장 1.64km의 지하철 공사다. 1.42km 규모의 터널과 지하역사(2층 지하구조물)를 건설하는 사업으로 지난 2011년에 수주해 총 65개월의 공사 기간을 거쳐 2016년 12월 준공했다.

 

특히, C937 프로젝트는 클락 키(Clarke Quay)라는 유명 관광지에 있어 여건이 녹록지 않았다. 그러나 강을 통째로 이설하고, 운행 중인 지하철 터널 3개 라인을 교차 통과하는 고난이도 터널 공사를 안전하게 준공해 지난 2016년에 ‘싱가포르 건국 50주년 기념 50대 기술공학 업적’ 중 2가지 부문에도 선정된 바 있다.

 

GS건설 관계자는 “이번 수상은 싱가포르 육상교통청으로부터 GS건설의 설계, 시공, 안전관리 및 공기 준수 능력을 인정받은 것”이라며 “그동안 GS건설이 싱가포르 정부에 쌓은 신뢰를 한 번 더 확인할 수 있는 자리였다”고 전했다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너