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종근당고촌재단, 해외 장학생 45명에 대학 등록금 ‘전액 지원’

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Wednesday, September 25, 2019, 10:09:50

인도네시아·베트남·르완다현지 장학생 선발..해외 장학증서 수여식 진행
글로벌 인재육성을 목표로 2013년부터 저개발국가 현지 대학생 253명 지원

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ종근당고촌재단(이사장 김두현)이 인도네시아·베트남·르완다 3개국에서 현지 장학생 45명을 선발해 졸업 때까지 대학 등록금을 전액 지원한다고 25일 밝혔다.

 

종근당고촌재단은 지난 23·24일 인도네시아 반둥공과대학과 국립대학에서 장학증서 수여식을 열고 올해 선발된 장학생 20명에게 등록금 전액을 전달했다.

 

재단은 이에 앞서 19·20일 베트남의 하노이 약학대학과 호치민 의약학대학에서도 장학증서 수여식을 가졌다. 올해는 베트남 현지 장학생 20명에게 장학금을 수여했으며, 국내 대학원에 재학중인 베트남 장학생 3명에게 등록금과 체재비를 지원했다. 오는 10월에는 르완다 국립대학생 2명에게도 장학금을 지급할 계획이다.

 

김두현 종근당고촌재단 이사장은 “올해는 종근당고촌재단을 설립한 고촌 이종근 회장의 탄생 100주년 되는 해”라며 “훌륭한 인재들이 경제적 어려움으로 학업을 중단하는 일이 없어야 한다는 고촌의 뜻을 이어받아 앞으로도 장학사업을 적극 펼쳐 나가겠다”고 말했다.

 

한편, 종근당고촌재단은 성장 잠재력이 높은 저개발국가의 인재를 지원하는 해외 장학사업을 매년 진행하고 있다. 2013년부터 현재까지 해외 장학생 253명에게 장학금을 지원했으며 우수 장학생을 한국으로 초청해 국내·외 장학생간 교류와 문화체험의 기회를 제공하고 있다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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