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[다음주 분양] 전국 13곳 총 4037가구...10월에도 계속되는 분양 열기

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Saturday, September 28, 2019, 06:09:00

청약 13곳·견본주택 개관 6곳·당첨자 발표 6곳·계약 23곳 진행 예정

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 10월 첫째 주에도 분양 열기가 계속될 전망이다. 서울에서는 개나리 4차 재건축으로 진행되는 ‘역삼 센트럴 아이파크’ 가 분양되며 경기, 부산, 대구, 광주, 울산 등에서도 청약 일정이 예정돼 있다.

 

부동산 리서치 업체 리얼투데이에 따르면 10월 첫째 주 공급 물량은 전국 13곳 총 4037가구다. 당첨자 발표는 6곳, 계약은 23곳에서 진행된다. 견본 주택은 전국 6곳에서 문을 열 예정이다.

 

청약 접수는 30일 ▲광주 광산 엘리체 레이크시티 등 1곳을 시작으로 다음 달 1일 ▲역삼 센트럴 아이파크 ▲대구 만촌역 서한포레스트(오피스텔) 등 2곳에서 진행된다.

 

이어 2일 ▲보문 리슈빌 하우트 ▲고양 대곡역 두산위브 ▲청주 율량 금호어울림 센트로 ▲대구 만촌역 서한 포레스트(아파트) ▲대구 수성 범물 코오롱하늘채 ▲울산 중산매곡 에일린의 뜰 ▲여수 지에이그린웰 ▲부산 주례 롯데캐슬 골드스마트 ▲부산 e편한세상 서면 더센트럴(아파트, 오피스텔) 등 9곳, 4일 ▲서울 마곡 센트레빌 ▲부산 화명신도시 3차 비스타동원 등 2곳에서 다음 주 일정이 마무리된다.

 

주목할만한 단지로는 HDC현대산업개발이 개나리 4차 주택재건축정비사업으로 진행하는 ‘역삼 센트럴 아이파크’가 있다. 단지는 서울시 강남구 역삼동 712-3번지 일원에 조성되며, 지하 3층~지상 35층, 5개동, 전용면적 52~168㎡ 총 499가구 규모다. 이 중 전용면적 84~125㎡ 138가구가 일반분양 물량이다.

 

서울지하철 2호선과 분당선 환승역인 선릉역과 2호선 역삼역이 단지에 인접해 있다. 도성초와 진선여중·고가 단지 바로 옆에 위치해 교육여건이 좋은 단지라는 평을 받고 있다.

 

동원개발은 부산광역시 북구 화명동 265번지 일원에 화명3구역 재개발 단지 ‘화명신도시 3차 비스타동원’을 분양한다. 단지는 지하 2층~지상 29층, 6개 동, 총 447가구 규모로 조성되며 이중 전용면적 59~84㎡ 322가구를 일반분양한다. 단지에서 부산지하철 2호선 화명역과 율리역을 이용할 수 있다. 산성터널, 부산외곽순환고속도로 등도 단지와 가깝다.

 

견본주택은 2일 ▲건대입구역 자이엘라(오피스텔) 등 1곳, 4일 ▲대전 목동 더샵 리슈빌 ▲충남 당진 송악 경남아너스빌 ▲대구 대봉 더샵 센트럴파크 ▲대구 수성 데시앙 리버뷰 ▲대구 죽전역 화성파크드림(아파트, 오피스텔) 등 5곳이 문을 열고 수요자를 기다린다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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