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국토부 등 32개 관계기관, ‘부동산 실거래 합동조사’ 실시

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Monday, October 07, 2019, 17:10:15

정부·서울시 등 역대 가장 많은 관계기관 참여...11일부터 조사 진행
합동조사 종료 즉시 국토부 중심 상시조사체계를 가동해 지속 추진

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 국토교통부 등 32개 관계기관이 부동산 실거래 실태 조사를 진행한다. 이는 역대 최대 규모인 부동산 실거래 실태 조사로, 정부는 오는 11일부터 서울 강남4구와 마포·용산·성동·서대문구 등에서 집중적으로 고강도 조사를 진행할 계획이다.

 

7일 국토부에 따르면 서울특별시, 행정안전부, 국세청, 금융위원회, 금융감독원, 한국감정원과 함께 11일부터 자금조달계획서 등 서울 지역 실거래 관계기관 합동 조사를 실시한다고 7일 밝혔다.

 

지난 2년간 국토부, 지자체 등 관계기관은 합동 조사, 실거래 상시 모니터링, 지자체 정밀조사로 실거래 위반행위 총 1만 6859건을 적발해 약 735억원의 과태료를 부과했다. 편법증여, 양도세 탈루 등 탈세가 의심되는 2907건은 국세청에 통보해 세금추징 등이 가능하도록 조치했다.

 

이번에 추진하는 관계기관 합동 조사는 지난 1일 관계부처 합동으로 발표한 ‘최근 부동산 시장 점검결과 및 보완방안’의 후속 조치로 역대 가장 많은 32개의 관계기관이 참여하기로 했다. 최근 이상 거래 사례를 고려해 조사대상의 범위를 대폭 확대해서 정상적인 자금 조달로 보기 어려운 차입금 과다 거래, 현금 위주 거래, 가족 간 대출 의심거래건 등에 대해 조사한다.

 

조사지역은 서울 25개 구 전체로, 특히 강남4구와 서대문, 마포, 용산, 성동은 집중 조사지역으로 선정한다.

 

조사기간은 12월까지로 내년 1월부터는 상시조사체계로 전환할 예정이다. 조사대상은 지난 8월 이후 실거래 신고 중 자금조달 적정성이 의심되거나 실거래 불법행위가 의심되는 거래건 전체다. 조사 절차는 ▲이상 거래 조사 대상 추출 ▲소명자료 제출 요구 ▲추가요구·출석 ▲행정조치(과태료 부과) 및 국세청 금감원 경찰청 등 통보 조사 순으로 이뤄진다.

 

관계기관 합동 조사결과 위법사항이 밝혀지는 경우 관할구청은 부동산거래신고법 등에 따라 과태료를 부과할 계획이다. 조사결과를 금융위·금감원·행안부(편법·불법대출)·경찰청(불법전매), 국세청(편법증여) 등 해당 기관에 즉시 통보해 조치할 방침이다.

 

관계기관 합동조사팀장인 남영우 국토교통부 토지정책과장은 “이번 관계기관 합동 조사는 이상 거래와 불법행위를 원천적으로 근절하기 위해 강도 높은 조사로 이루어질 것”이라며 “조사대상 모두에게 자금조달내역과 대출 증빙자료, 통장 사본 및 입출금표, 현금조성 증명자료 등 소명 자료를 요구할 것이며 자료가 불분명한 경우, 추가 소명과 출석 조사를 실시해 불법행위 유무를 철저히 확인할 계획”이라고 전했다.

 

한편, 국토부와 서울시 등 지자체는 14일부터 특사경 및 관할 시·군·구청 담당자로 구성된 ‘부동산시장 합동 현장점검반’을 가동한다. 합동 현장점검반은 서울 지역의 주요 대단위 아파트 단지와 도시재생 뉴딜 사업지 중 과열지역을 중심으로 불법 중개 및 주택 공급질서 교란 행위를 현장에서 집중 단속할 계획이다.

 

위법사항이 확인되는 경우 자격 취소, 자격정지, 영업정지 등 관할관청의 행정처분과 경찰청에 고발조치한다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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