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한미약품 ‘포지오티닙’, 학술지 캔서셀 등재...“HER2 변이 암 극복 가능성 제시”

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Tuesday, October 08, 2019, 12:10:37

美 MD앤더슨 암센터, 25개 암종 20만명 이상 환자 대상 연구
“EGFR 변이 뿐 아니라 HER2 변이 암종 표적 치료에도 최적화”

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ한미약품의 항암 혁신신약 ‘포지오티닙’이 EGFR 변이 암 뿐 아니라 다양한 암종에서 발현된 HER2 변이에서도 우수한 종양억제 효과가 확인됐다는 연구결과가 세계 최고 권위 학술지에 등재됐다.

 

한미약품의 파트너사 스펙트럼은 지난 3일(현지시각) 캔서셀(Cancer Cell) 온라인판에 미국 텍사스 MD 앤더슨 암센터에서 수행한 연구 결과가 등재됐다고 밝혔다. 해당 논문은 향후 캔서셀 인쇄본으로도 출간될 예정이다.

 

한미약품은 이번에 등재된 연구를 통해 포지오티닙이 EGFR 변이 뿐 아니라, HER2 변이 양성 비소세포폐암을 비롯한 다양한 돌연변이를 동반한 암종에서 활용 가능성을 입증했다고 설명했다.

 

EGFR이나 HER2 변이가 발생하면 약물-결합 포켓이 좁아지면서 약물 결합을 제한하는데, 포지오티닙은 작은 사이즈와 구조적 유연성을 가져 이러한 장애를 극복할 수 있다는 것이다.

 

MD 앤더슨 암센터의 존 헤이맥(John Heymach) 박사는 “25개 암종에서 다양한 HER2 변이 분석을 위해 진행된 역대 최대 규모 연구”라며 “MD 앤더슨을 포함한 다양한 기관(cBioPortal, Foundation Medicine, Guardant Health)의 20만명 이상 환자를 대상으로 했다”고 말했다.

 

이어 헤이맥 박사는 “포지오티닙이 가장 강력한 선택적 HER2 변이 TKI라는 점을 11개 EGFR/HER2 TKI에 대한 전임상 연구 및 자체 임상 연구를 통해 확인했다”며 “뿐만 아니라 HER2 Exon20 변이 비소세포폐암 환자들에서 매우 활발한 반응이 나타났다”고 말했다.

 

또 “이번 연구로 포지오티닙이 복잡한 결합 위치를 가진 HER2 변이 암종을 표적하는데 최적화 됐다는 점을 확인했다”며 “전임상 연구에서 확인된 T-DM1(HER2 타겟 항체 약물 복합체)과의 시너지 효과를 추가 입증하기 위한 병용 임상 연구에 대한 확신을 갖게 됐다”고 덧붙였다.

 

스펙트럼은 현재 비소세포폐암 환자를 대상으로 자체적으로 오픈라벨, 다기관, 단독 투여 글로벌 임상 2상(ZENITH20)을 진행 중이다.

 

조 터전(Joe Turgeon) 스펙트럼 대표이사는 “캔서셀에 등재된 이번 연구 결과는 포지오티닙의 우수한 효과를 다시 한번 뒷받침하는 강력한 근거가 됐다”며 “이번 분기 내 ZENITH20 임상의 첫번째 코호트(치료 전력이 있는 EGFR Exon20 변이 비소세포폐암 환자 대상) 주요 데이터를, 2020년 중순에는 두번째 코호트(치료 전력이 있는 HER2 Exon20 비소세포폐암 환자 대상) 주요 데이터도 발표할 계획”이라고 발표했다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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