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DLF 분쟁조정위원회 내달 5일 열린다...투자자배상액 ‘촉각’

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Friday, November 29, 2019, 16:11:19

분쟁조정신청 268건..금융사 문제 심각하면 70% 배상
금감원, 불완전판매 연루된 금융사 제재 별도로 진행

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ해외금리 연계 파생결합펀드(DLF)와 관련한 분쟁조정위원회(이하 분조위)가 다음 달 5일 열립니다. 이 분조위가 끝나면 오랜 과제인 키코 분조위도 개최될 예정입니다.

 

29일 금융감독원은 다음 달 5일 서울 여의도 본원에서 DLF 손해배상 관련 분조위를 개최한다고 밝혔습니다. 금감원에 접수된 DLF 분쟁 조정 신청 건수는 지난 8일 기준 모두 268건입니다. 이 중 일부가 상정될 것으로 예상됩니다.

 

분조위란 거대 금융회사와 대등한 지위에서 소송 등을 통해 분쟁을 해결하기 어려운 개인을 위해 마련된 소송 외 분쟁해결기구를 의미합니다. 금감원장은 판·검사 또는 변호사 경력 있는 자, 소비자단체 임원 등을 조정위원으로 위촉하게 됩니다.

 

민사소송의 경우 원고 측이 금융회사의 불법성을 스스로 입증해야 하지만, 분쟁조정은 금감원이 당사자의 주장과 사실 관계를 조사하므로 피해자가 입증 책임 부담을 가질 필요가 없습니다. 비공개로 열리는 분조위에선 불완전판매에 대한 금융사의 손해배상 비율이 결정됩니다.

 

DLF 상품을 집중적으로 판매한 우리은행과 KEB하나은행의 전체 DLF 판매액은 지난 8월 7일 기준 7950억원입니다. 이 가운데 9~10월 중 만기가 도래한 투자금 2080억원은 손실률 52.7%를 기록했습니다. 나머지 5870억원의 경우 해외 금리 상승에 따라 예상 손실률이 13.3%로 줄어든 상태입니다.

 

DLF 불완전판매 문제에 얽힌 우리은행과 하나은행은 분조위의 조정 결과를 따르겠다고 밝힌 바 있습니다. 이번 조정 결과는 앞으로 제기되는 관련 분쟁의 기준이 됩니다. 피해자가 조정 결과를 받아들이지 않으면 소송으로 이어집니다.

 

관건은 배상비율입니다. 단순 불완전판매는 금융회사의 배상비율이 50%를 넘지 않습니다. 그러나 금융회사에 심각한 문제가 있다고 판단되면 70%를 웃도는 역대급 수준의 배상비율이 나올 수 있다는 전망이 나오고 있습니다.

 

DLF 분쟁조정이 다음 달 초에 마무리되면 금융회사에 대한 제재 절차도 속도를 낼 것으로 보입니다. DLF 불완전판매에 연루된 금융회사에 대한 제재는 분쟁조정 절차와 별도로 진행됩니다.

 

금감원은 우리은행과 하나은행 등에 대한 검사를 마치고 검사 의견서를 은행에 보냈습니다. 이후 절차를 감안하면 내년 초에는 제재심의위원회가 열릴 것으로 보입니다.

 

금감원은 DLF가 국감에서도 크게 문제시 되는 등 시급한 현안인 만큼 관련 분쟁조정을 먼저 진행하고, 뒤이어 키코 분쟁조정을 올해 안에 처리할 예정입니다. 금감원 관계자는 “DLF 분조위 이후 연이어 키코 관련 분조위를 개최할 계획”이라며 “구체적인 일정은 추후 확정되면 별도 안내할 예정”이라고 말했습니다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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