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삼성 “노사 문제 실망 끼쳐 죄송”...‘노조 와해’ 공작 개입 공식 사과

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Wednesday, December 18, 2019, 11:12:29

삼성전자·삼성물산, 노조 완해 공작 혐의로 전·현직 임직원 26명 실형
“노조 바라보는 시각 국민 눈높이에 못 맞춰..재발 방지 약속할 것”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자와 삼성물산이 노조 와해 공작에 개입한 혐의로 유죄를 받은 것에 대해 공식 사과했습니다. 앞서 재판부는 노조 와해 공작 관련 삼성그룹 계열사 전·현직 임직원들 26명에 실형을 선고했습니다.

 

삼성전자와 삼성물산은 18일 “노사 문제로 인해 많은 분들께 걱정과 실망을 끼쳐 드려 대단히 죄송하다”며 “다시는 이런일이 발생하지 않도록 하겠다”고 말했습니다.

 

이어 삼성은 “과거 회사 내에서 노조를 바라보는 시각과 인식이 국민의 눈높이와 사회의 기대에 미치지 못 했음을 겸허히 받아들인다”며 “앞으로는 임직원 존중의 정신을 바탕으로 미래지향적이고, 건강한 노사문화를 정립해 나가겠다”고 강조했습니다.

 

지난 17일 삼성전자 이상훈 이사회 의장과 강경훈 부사장은 서울중앙지법 형사합의23부에서 삼성전자서비스 노조 와해 의혹으로 각각 1년 6개월을 선고받고 법정 구속됐습니다.

 

앞서 강 부사장은 13일 에버랜드 노조 와해 사건 관련 선고에서는 법정 구속을 면했지만, 이번 재판부의 판단은 달랐습니다.

 

박상범 전 삼성전자서비스 대표는 징역 1년 6개월, 최평석 전 삼성전자서비스 전무는 징역 1년 2개월, 목장균 삼성전자 전무는 징역 1년, 송모 삼성전자 자문위원은 징역 10개월의 실형을 선고받았는데요. 이들 모두 법정 구속됐습니다.

 

원기찬 삼성카드 사장은 징역 1년 6개월에 집행유예 3년, 박용기 삼성전자 부사장도 징역 1년에 집행유예 2년, 정금용 삼성물산 대표는 징역 1년 6개월에 집행유예 3년을 선고받았습니다.

 

재판부는 “부당노동행위 관련 수많은 문건이 발견되고, 미래전략실에서부터 파생돼 계열사 및 자회사로 배포된 각 노조전략, 비상대응 시나리오, 비밀동향 보고, 회의자료, 보도자료 등 노조를 와해하겠다는 전략을 표방하고 구체적인 시행방안을 한 것이 그 수를 헤아릴 수 없을 정도”라고 지적했습니다.

 

삼성그룹 계열사의 전·현직 임직원들이 잇따라 유죄를 선고받으면서 사장단과 임원 인사가 장기적으로 미뤄질 가능성이 있다는 분석입니다. 12월 초 사장단 인사가 늦춰지면서 해를 넘겨 내년 1월 인사 전망이 나왔지만, 이보다 더 늦춰질 수 있다는 분석이 나옵니다.

 

당장 내년 1월 중순 이재용 부회장의 국정농단 사건 4차 공판이 예정돼 있습니다. 재판부는 앞선 3차 공판에서 삼성그룹 준법경영에 대한 대책 마련을 숙제로 내준 바 있습니다.

 

지난 16일 글로벌 전략회의를 통해 삼성 내부에선 각 사업부의 내년도 전략과 함께 준법감시 강화를 위한 대책 마련에 나선 상황입니다.

 

내년 1월에도 재판이 연이어 열립니다. 삼성바이오로직스 증거인멸과 삼성 에버랜드 노조 와해, 삼성전자서비스 노조 와해 등 재판은 1심만 나온 상황이어서 형이 확정된 것은 아닙니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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