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현대모비스, CES서 미래 모빌리티 기술 전시...“자율주행 시대 선도”

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Thursday, December 19, 2019, 11:12:47

자율주행·커넥티비티·전동화 기술 집약한 콘셉트카 전시..관람객과 상호소통
2021년까지 레벨3 자율주행 라이다 시스템 양산..자율주행 기술개발 ‘순항’

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대모비스가 내년 1월 미국에서 열리는 CES에 참가해 미래 모빌리티의 핵심 기술을 공개합니다. 자율주행·커넥티비티·전동화 등 미래차 기술을 집약한 콘셉트카를 전시하고, 수소연료전지를 탑재한 친환경 모빌리티들도 선보일 계획입니다.

 

현대모비스는 다음달 7일부터 나흘간 미국 라스베가스 컨벤션센터에서 열리는 CES에 참가해 차별화된 신기술을 대거 전시한다고 19일 밝혔습니다. CES는 세계 최대 규모의 전자제품 박람회인데요. 미래차 기술경쟁이 심화되면서 자동차 업계는 모터쇼 대신 CES에서 신기술을 발표하고 있습니다.

 

현대모비스는 전시장을 찾은 전세계 관람객들에게 자율주행과 커넥티비티, 수소연료전지시스템 등이 결합된 신개념 이동수단을 선보이기로 했는데요. 미래차 기술과 사람이 연결되는 과정도 직접 체험할 수 있다고 합니다.

 

특히 미래 모빌리티 콘셉트카인 엠비전 에스(M.Vision S)는 방문객의 모습을 이미지화해 대형 디스플레이에 보여줄 예정입니다. 자율주행 시대에 차량과 사람, 사람과 사람이 수많은 데이터를 주고 받으며 연결되는 장면을 보여줄 것이라는 게 현대모비스의 설명입니다.

 

엠비전 에스를 타본 관람객이 자기만의 미래차를 직접 제작해보는 체험 공간도 마련됩니다. 모션 인식과 로봇 드로잉 기법을 활용해 본인이 원하는 미래 모빌리티를 구현하는 건데요. 로봇 드로잉으로 제작된 이미지는 기념품으로 관람객에 제공될 예정입니다.

 

특히 미래 모빌리티는 내연기관으로 움직이지 않는 만큼, 수소연료전지시스템을 체험할 공간도 마련되는데요. 천장을 감싸는 플렉서블 디스플레이에 수소연료전지시스템이 탑재된 보트와 지게차, 트램 등이 파노라마처럼 펼쳐진다고 합니다.

 

백경국 현대모비스 연구기획사업부장 전무는 “이번 CES 핵심 전시 기술인 자율주행(Autonomous), 커넥티비티(Connectivity), 전동화(Electrification)의 앞 글자를 모으면 ‘ACE’가 된다” 며 “현대모비스가 미래 모빌리티의 에이스로 발돋움할 수 있도록 연구개발 역량을 집중할 것”이라고 말했습니다.

 

 

한편, 이번 CES에서 전시될 ‘엠비전 에스’에는 카메라, 레이더, 라이다 등 자율주행 센서와 커뮤니케이션 라이팅, 가상공간 터치, 3D 리어램프, 프리미엄 사운드 시스템 ‘KRELL’ 등이 탑재돼 있습니다.

 

자율주행에 필요한 카메라와 레이더 기술을 확보한 현대모비스는 글로벌 라이다 시장 1위 업체인 미국 벨로다인과 협력해 오는 2021년까지 레벨3 수준의 자율주행 라이다 시스템을 양산할 계획인데요. 앱티브와의 기술 제휴에도 현대·기아차와 공동으로 참여해 레벨4 자율주행 시스템 개발을 위한 발판을 마련했습니다.

 

현대모비스 관계자는 “이번 CES에서 전장 분야 신기술을 전시하는 별도 공간을 마련해 글로벌 완성차 고객사를 대상으로 적극적인 수주 활동에 나설 것”이라며 “특히 ADAS 센서와 OLED 클러스터, 블루밍 사운드 시스템 등 특화된 20가지 전장 분야 신기술을 선별해 전시할 예정”이라고 말했습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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