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네이처셀, ‘바이로스템’ 세 번째 차기 신약으로 추진

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Monday, December 23, 2019, 10:12:45

난치성 유방암 치료제 모델

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 네이처셀(007390)은 라정찬 박사팀이 개발 중인 항암바이러스줄기세포치료제인 ‘바이로스템’이 난치성 유방암 모델 동물실험에서 유효성이 확인됨에 따라 조인트스템과 알케오스템에 이어 세 번째 차기 신약으로 추진하기로 했다고 23일 밝혔습니다.

 

연구팀에 따르면 바이로스템은 암환자의 자가지방줄기세포를 특허기술로 배양해 암세포 억제특성을 갖도록 한 뒤 여기에 홍역백신바이러스를 감염시켜 만드는 항암제입니다. 환자의 정맥으로 다회 투여해 암세포를 찾아내 죽이고 체내 면역계를 활성화시켜 항암작용을 하게 하는 신개념 항암제 특성을 갖추고 있습니다.

 

연구팀은 “이런 바이로스템은 자가줄기세포에 바이러스를 탑재해 병소로 이동하므로 바이러스에 대한 항체 형성을 피할 수 있어 다회 투여가 가능할 것으로 기대한다”며 “실험 대행기관인 바이오톡스텍에 의뢰해 난치성유방암 모델 동물을 대상으로 유효성 실험을 수행해 긍정적인 결과를 확인했다”고 설명했습니다.

 

연구팀은 전이성 유방암을 유발한 실험쥐를 대상으로 실험을 진행하고 암조직의 용적 변화를 46일에 걸쳐 관찰했습니다. 그 결과 홍역백신바이러스만을 주입한 유방암 그룹은 아무런 조치를 취하지 않은 유방암 조직에 비해 용적이 유의한 변화가 보이지 않았습니다.

 

이에 비해 엔젤스템셀을 주입한 그룹과 엔젤스템셀에 홍역백신바이러스를 탑재한 바이로스템 그룹은 대조군에 비해 현저하게 작은 용적을 나타냈는데요. 시일이 경과할수록 대조군과 현격한 격차를 보였다고 합니다.

 

이에 따라 바이로스템의 구체적인 작용기전을 규명하는 한편 항암 효과의 극대화를 위한 특정물질의 추가 탑재와 면역항암제와의 병용 투여 등 후속 연구에 집중하고 있습니다.

 

네이처셀은 앞서 외부 전문기관의 시장성 검토 결과를 근거로 유방암과 폐암, 췌장암을 집중연구 대상으로 선정했는데요. 바이로스템을 난치성유방암 치료제로 우선 개발하기로 했다고 전했습니다.

 

특히 연구팀은 바이로스템이 기존의 어떤 약제보다 안전한 항암제라는 개념에 중점을 두고 있다고 합니다.

 

바이로스템 개발을 주도하고 있는 라정찬 박사는 “암세포를 억제하는 특성을 가지는 엔젤줄기세포 배양기술과 홍역 백신바이러스 모두 안전한 항암제 개발에 적합한 자연물질”이라며 “암 치료효과는 물론 통증 감소와 활력 개선 효과도 기대하고 있다”고 설명했습니다.

 

이어 “줄기세포 연구를 통한 치매와 암 정복에 기여할 수 있게 되기를 기대한다”며 “우선 난치성 유방암에 대한 임상을 미국에서 진행하기 위해 내년에 미국 FDA에 preIND(사전 임상시험계획 승인신청)를 할 계획”이라고 덧붙였습니다.

 

한편 네이처셀은 바이로스템의 차질 없는 개발을 위해 소요되는 막대한 연구개발 비용을 조달해야 하는데요. 효율적인 업무 추진을 위해 별도의 바이로스템 관련 법인을 설립해 국내외 투자자들을 적극적으로 유치할 계획입니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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