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청소년에 공들이는 현대모비스...“미래차 시대 인재 육성”

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Monday, December 23, 2019, 11:12:45

고등학생 250여 명 대상 자율주행차 경진대회..SW 코딩 실력 겨뤄
과학에 흥미 느끼도록 환경 조성..“인재 양성 위한 선순환 체계 구축”

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대모비스가 미래차 시대를 이끌 인재를 육성하기 위해 고등학생 때부터 공을 들이고 있습니다. 현대모비스는 전국의 고등학생 250여 명을 대상으로 ‘자율주행차 경진대회’를 열었는데요. 중·고등학교 시절부터 과학기술에 흥미를 갖도록 다양한 교육환경을 만들어간다는 계획입니다.

 

현대모비스는 지난 21일 인천에 위치한 하늘고등학교에서 ‘청소년 공학리더 자율주행차 경진대회’를 개최했는데요. 자율주행 등 미래차 소프트웨어 분야를 이끌어갈 차세대 우수 인재를 육성하기 위한 목적입니다.

 

올해 두 번째로 열린 이번 경진대회에는 전국 8개고교에서 예선을 거친 총 16팀이 참여해 자율주행차 코딩 실력을 겨뤘습니다. 지난해 100여 명의 학생이 경진대회에 참가한 데 이어 올해는 2배 이상 늘어난 250여 명이 참가했는데요. 청소년들의 미래차 소프트웨어에 대한 관심이 높아진 결과로 해석됩니다.

 

현대모비스는 사회공헌 활동의 일환으로 고등학생들이 자율주행ᆞ커넥티비티 등 미래차 핵심 소프트웨어 우수인재로 성장할 수 있도록 ‘청소년 공학리더’ 프로그램을 운영하고 있습니다. ‘자율주행차 개발 프로젝트’는 현대모비스가 한국공학한림원, 인천대 융합과학기술원과 함께 공모를 통해 선발한 고등학교 학생들을 대상으로 자율주행 이론 수업과 함께 코딩교육을 제공하는 프로그램이다.

 

이날 참가한 학생들은 지난 6월부터 배우고 익힌 소프트웨어 실력을 뽐냈는데요. 특수 제작한 모형 자율주행차가 신호등과 보행자를 인식해 스스로 운행하고 정차하도록 학생들이 소프트웨어 알고리즘을 직접 제작하는 방식으로 진행됐습니다..

 

심사위원으로 참석한 인천대학교 김평원 교수는 “국내 과학기술을 이끌어갈 우수 인재로 성장하기 위해서는 중고등학교 시절부터 흥미를 이어갈 수 있는 교육환경이 매우 중요하다”며 “지난 학기동안 학생들 스스로 자율주행차 작동원리와 코딩을 함께 익히며 창의적인 문제해결 능력이 크게 향상됐다”고 말했습니다.

 

이번 대회의 우승은 경기도 통진고등학교 A.I. ral팀이 차지했는데요. 대상, 최우수상을 비롯해 본선에 오른 총 다섯팀에 상금과 상장이 수여됐습니다. 본선에 오른 학생들에게는 앞으로 전담 논문 지도교사와 자문교수단이 배정되고, 내년 가을 한국공학한림원이 발간하는 학술지에 학생들의 논문이 게재될 예정입니다.

 

박병훈 현대모비스 문화지원실장 상무는 “청소년 공학리더 경험을 바탕으로 과학에 흥미를 느낀 학생들의 이공계 진학 사례가 늘고 있다”며 “현대모비스 사업장 인근 초등학교에서 진행하는 주니어 공학교실과 연계해 초등학생부터 고등학생까지 이어지는 공학인재 양성 선순환 체계를 확대 구축하겠다”고 말했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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