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경영권 분쟁 붙 붙은 한진그룹...기업가치 훼손될까 ‘노심초사’

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Monday, December 23, 2019, 17:12:57

조현아 전 부사장 “조원태 회장이 공동경영 유훈 어겨”..경영복귀 선전포고
한진 “유훈은 기업가치 제고하는 것..경영은 회사절차 맞춰 행사해야” 반박

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ한진그룹이 최근 불거진 ‘경영권 분쟁’에 대해 공식적인 입장을 밝혔습니다. 한진그룹은 이번 사태로 기업가치가 훼손되지 않을까 우려했는데요. 경영은 주주총회와 이사회 등 정해진 절차에 맞춰 행사돼야 한다는 뜻을 분명히 했습니다.

 

한진그룹은 23일 오후 입장문을 내고 “경영권 논란이 발생한 것에 대해 국민과 고객 및 주주 여러분께 송구스럽게 생각한다”고 밝혔습니다.

 

앞서 이날 오전 조현아 전 대한항공 부사장은 법률대리인인 법무법인 원을 통해 “조원태 대표이사가 공동 경영의 유훈과 달리 한진그룹을 운영해 왔고, 지금도 가족 간의 협의에 무성의와 지연으로 일관하고 있다”고 지적했습니다.

 

故 조양호 한진그룹 전 회장은 지난 4월 8일(한국시간) 미국 현지에서 숙환으로 별세했습니다. 조 회장의 작고 이후 장남인 조원태 현 한진그룹 회장이 그룹의 경영권을 물려받았는데요. 그런데 불과 8개월 만에 장녀인 조 전 부사장이 ‘경영권 분쟁’에 불을 붙인 겁니다.

 

법무법인 원은 “한진그룹은 상속인 간의 실질적인 합의나 충분한 논의 없이 공정거래위원회에서 대규모 기업집단의 동일인(조원태 회장)이 지정됐다”며 “조 전 부사장의 복귀 등에 대해 조 전 부사장과의 사이에 어떠한 합의도 없었지만 대외적으로는 합의가 있었던 것처럼 공표됐다”고 밝혔습니다.

 

재계에 따르면 이번 사태는 조 전 부사장의 경영 복귀를 조 회장이 가로막으면서 시작된 것으로 알려졌습니다. 앞서 조 전 부사장은 땅콩 회항과 밀수, 갑질 등으로 경영 일선에서 완전히 물러난 바 있습니다.

 

이에 대해 한진그룹 측은 “회사의 경영은 회사법 등 관련 법규와 주주총회, 이사회 등 절차에 의거해 행사돼야 한다”며 “그룹이 임직원들의 노력으로 새로운 변화의 기초를 마련하고 있는 중요한 시점에서 이번 논란으로 회사 경영의 안정을 해치고 기업가치에 부정적 영향을 미치지 않기를 바란다”고 선을 그었습니다.

 

한진그룹은 어려운 경영환경 속에서도 국민과 고객의 신뢰를 회복하겠다는 뜻을 밝혔습니다. 기업가치를 높이고 시장의 기대에 부응하는 것이 작고한 조 회장의 유훈이라는 입장인데요. 이는 ‘공동 경영’이 유훈이라는 조 전 부사장 측의 주장을 맞받아친 셈입니다.

 

한진그룹 관계자는 “이번 논란에도 불구하고 경영진과 임직원들은 회사 경영에 차질이 없도록 만전을 기할 것”이라며 “국민과 주주 및 시장의 신뢰를 회복하기 위해 최선의 노력을 다하겠다”고 말했습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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