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전경련 등 재계 “신격호 명예회장 타계, 우리 경제의 큰 아픔” 애도

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Monday, January 20, 2020, 10:01:13

전경련 “기업보국 신념 실천한 대한해협의 경영자”
경총 “기품질본위·노사협조..기업가 정신 본받아야”

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ신격호 롯데그룹 명예회장이 지난 19일 별세한데 대해 전국경제인연합회(이하 전경련)를 비롯해 한국경영자총연합회(이하 경총), 대한상공회의소(이하 대한상의), 중소기업중앙회(이하 중기중앙회) 등 재계가 일제히 애도의 뜻을 표했습니다.

 

20일 전경련은 논평을 통해 “신격호 회장님은 대한민국 경제 성장의 선구자셨다. 롯데를 국내 최고의 유통·식품 회사로 성장시켰고, 서비스·관광·석유화학 분야까지 사업 범위를 넓히며 다양한 영역에서 대한민국 산업의 기틀을 닦으셨다”고 말했습니다.

 

이어 “기업보국(企業報國·기업을 통해 국가에 기여한다)의 신념을 바탕으로 전쟁으로 폐허가 된 조국에 아낌없이 투자하신 헌신은 산업 불모지였던 우리나라를 재건하고 경제를 부흥시키는 초석이 됐다”고 평했습니다.

 

한·일 양국을 오가며 경제활동을 펼쳤던데 대해서는 ‘대한해협의 경영자’라 칭하며, “한일 양국간 경제교류에 힘써주신 회장님의 타계는 우리 경제의 큰 아픔과 손실이 아닐 수 없다”고 애도했습니다.

 

 

경총 역시 앞선 19일 1965년 한·일 국교 정상화를 계기로 기업보국의 기치 아래 모국에 투자해 국내 유통·관광 산업 현대화를 구축하는 등 우리나라 경제발전에 큰 기여를 했다고 평가했습니다.

 

경총은 “경영계는 ‘품질본위와 노사협조로 기업을 통해 사회와 국가에 봉사하겠다’(1967년 한국 롯데제과 설립 당시 인사말)는 말씀과 기업가정신을 본받아 국가 경제와 산업이 한 단계 더 도약하도록 노력할 것”이라고 말했습니다.

 

대한상의도 논평을 통해 “고인은 선구적 투자와 공격적 경영으로 국내 식품·유통·관광 산업의 기틀을 마련했다”며 신 회장의 별세에 애도를 표했습니다.

 

중기중앙회는 “불모지였던 국내 유통산업인 백화점을 개척해 중소기업의 판로확대에 기여하고, 부존자원이 부족한 한국의 관광산업 발전을 위해 호텔분야를 선구적으로 개척하는 등 서비스 산업발전의 큰 획을 그으신 분으로 기억될 것”이라고 평했습니다.

 

이어 “고인의 기업가 정신이 대한민국 전체 기업인들에게 확산되기를 기대한다”고 덧붙였습니다.

 

한편, 롯데그룹 창업주인 신격호 명예회장은 향년 99세를 일기로 지난 19일 별세했습니다. 1921년 경남 울산에서 태어난 신 명예회장은 1948년 일본 도쿄에서 롯데홀딩스의 전신인 ㈜롯데를 창업했습니다.

 

지병으로 입원했던 신 명예회장은 병세가 악화돼 같은 날 4시 30분쯤 가족들이 지켜보는 가운데 영면에 들었으며, 빈소는 서울아산병원에 마련됐습니다.

 

신 명예회장의 별세로 고(故) 이병철 삼성 회장, 정주영 현대 회장, 구인회 LG 회장, 최종현 SK 회장 등이 재계를 이끌던 ‘1세대 경영인’ 시대가 막을 내리게 됐습니다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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