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한화, 임원 인센티브 주식으로 지급...‘양도제한조건부주식’ 도입

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Friday, February 14, 2020, 17:02:01

7~10년 후 무상으로 증여..장기적 성과 독려 차원
미국 애플·보잉 등 적극 활용..국내 대기업 중 최초

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ한화그룹 지주사 격인 (주)한화 주요 임원들은 일정 기간 내에 주어진 경영성과를 내면 주식으로 보상받게 됩니다. 회사에서 애플 등 실리콘밸리 기업에서 일반화된 성과 보상 제도를 도입하기 때문인데요. 회사가 임직원에게 주식을 무상으로 증여하는 양도제한조건부주식(RSU) 방식입니다.

 

해당 제도는 회사가 임원들에게 책임감을 부여하고 장기적인 결과물을 내놓도록 독려하는 수단 중 하나입니다. 국내에 이를 도입하는 건 국내 대기업 중 (주)한화가 처음입니다.

 

지난 11일 (주)한화는 자기 주식 18만 12주(41억 4000만 원)를 취득했다고 공시했습니다. (주)한화는 “성과보상 대상 임원들에게 일정 기간 경과 후 금번 취득한 자기 주식을 지급할 예정”이라고 밝혔습니다.

 

 

해당 주식은 RSU 형태로 대표이사와 주요 임원들에게 지급됩니다. 옥경석 (주)한화 대표이사와 대표이사 후보군에 속하는 임원진이 대상자입니다.

 

RSU는 회사 핵심 경영진을 일정 기간 붙잡아놓는 방안으로 시행하는 제도로 경영 성과를 조건으로하는 성과 연동 보상 제도로도 활용됩니다. 회사 주식을 특정 가격에 살 수 있도록 하는 주식매수선택권(스톡옵션)의 일종입니다.

 

다만 단기적 주가 부양에 집착하게 될 우려가 있는 스톡옵션과 다르게 RSU는 몇 년 후 회사가 커지고 주식이 오르면 이익을 볼 수 있다는 점 때문에 주로 스타트업에서 임직원 역량을 높이는 수단으로 발행합니다. 반대로 경영 악화로 주식 가치가 감소하면 보상도 줄어듭니다.

 

미국에서는 지난 2011년 애플이 팀 쿡 최고경영자(CEO)가 취임하면서 RSU 100만 주를 오는 2022년까지 두 번에 걸쳐 지급하기로 한 바 있습니다. 애플은 일반 직원을 대상으로도 이 제도를 시행하고 있습니다.

 

지난달에는 항공기 제조사 보잉이 데이비드 칼훈 CEO를 임명하면서 1000만 달러에 달하는 RSU를 장기 인센티브로 지급했습니다.

 

(주)한화는 이사회에서 대상자와 지급 조건, 기간을 설정한 것으로 알려졌습니다. 직책에 따라 기간은 7~10년입니다. 옥경석, 금춘수, 이민석 대표이사는 10년 뒤인 2030년, 다른 주요 임원은 2027년 1월에 지급받습니다. 이 기간보다 먼저 퇴임하더라도 정해진 시기에 지급됩니다.

 

도입은 금춘수 부회장이 대표로 있는 (주)한화 지원부문에서 처음 기획한 것으로 알려졌습니다. (주)한화를 시작으로 그룹 내 다른 계열사까지 확대할 계획입니다.

 

(주)한화 관계자는 “눈앞에 있는 성과에 집착하기보다 장기성과를 높이는 방안을 추진하며 책임감을 느끼라는 의미”라고 말했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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