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[뉴스캐치] 궁지 몰린 조현아...한진칼 사내이사 추천후보도 ‘사퇴’

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Tuesday, February 18, 2020, 15:02:09

김치훈 전 한국공항 상무, 한진칼 대표이사에 서신 보내..“현 경영진 지지”
3자연합 “건강상 이유로 사퇴한 것..후보 추천 이유도 충분히 설명했다”

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ조원태 한진그룹 회장을 끌어내리려는 조현아 대한항공 전 부사장이 궁지에 몰렸습니다. 앞서 한진칼 사내이사 후보로 추천했던 김치훈 씨가 사퇴를 결정했기 때문인데요. 표면상의 이유는 ‘건강문제’였지만, 시간이 흐를수록 조 전 부사장이 이끄는 3자 주주연합의 힘이 떨어져 가는 모양새입니다.

 

18일 한진그룹에 따르면 조 전 부사장 측이 한진칼 사내이사 후보로 내세운 김치훈 전 한국공항 통제본부장 상무가 사퇴 의사를 전했습니다. 한진그룹 출신(KALMAN)으로서 회사의 입장을 이해하고 현 경영진을 지지한다는 게 김 전 본부장의 입장입니다.

 

김 전 상무는 지난 17일 한진칼 대표이사 앞으로 서신을 보내 “3자연합이 본인을 사내이사 후보로 내정한 데 대해 이 자리를 빌어 입장을 밝히고자 한다”며 “3자연합이 주장하는 주주제안에 동의하지 않으며, 본인의 순수한 의도와 너무 다르게 일이 진행되고 있음을 유감스럽게 생각한다”고 밝혔습니다.

 

김 전 상무가 사내이사 후보를 자진 사퇴하자 3자연합은 즉각 해명했습니다. 김 전 상무에게 사내이사 후보로 내세운 이유를 충분하게 설명했고, 사퇴 이유는 ‘건강문제’ 때문이라는 게 핵심 내용입니다.

 

이날 3자연합은 보도자료를 통해 “김 후보자는 오늘 새벽 본인이 심각한 건강상의 이유로 인해 업무를 수행할 수 없음을 알려왔다”며 “저희는 이러한 일에 흔들림 없이 계속 한진그룹의 경영정상화를 위해 최선의 노력을 다하겠다”고 밝혔습니다.

 

한편, 조 전 부사장은 지난 1월 31일 KCGI·반도건설과 함께 3자연합을 결성하고 경영권 분쟁에 불을 붙였는데요. 이들은 다음달 열릴 한진칼 정기주총에서 조 회장의 사내이사 재연임을 막고 회장직에서 끌어내리겠다는 뜻을 확실히 밝힌 상태입니다.

 

이에 3자연합은 지난 13일 조 회장의 한진칼 사내이사 연임을 반대한다는 내용의 주주제안서를 제출했습니다. 제안서에는 조 회장 대신 김신배 전 SK그룹 부회장, 배경태 전 삼성전자 중국총괄 부사장, 김치훈 전 한국공항 상무 등을 사내이사로 추천한다는 의견도 포함됐는데요. 하지만 정작 사내이사 추천 후보자가 3자연합 대신 기존 경영진에 힘을 실어준 꼴이 됐습니다.

 

당시 3자연합은 “사내이사 추천 후보자들은 한진그룹의 변화를 위해 꼭 필요한 경험과 능력을 인정받은 사람들”이라며 “새로운 전문경영인들의 경영을 통해 한진그룹이 현재의 위기를 벗어나고 더욱 성장, 발전할 수 있는 길로 들어설 것이라 확신한다”고 후보 선정 기준을 밝힌 바 있습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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