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[기자수첩] 이재용 부회장이 사과해야 할 곳

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Friday, March 13, 2020, 17:03:26

준법위, 이재용 부회장에 ‘대국민 사과’ 권고
피해자에 대한 반성은 빠져..전향적인 태도 필요

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ삼성 준법감시위원회(이하 준법위)가 이재용 삼성전자 부회장에 ‘대국민 사과’를 권고하면서 사과문에 담길 내용과 수위에 관심이 쏠리고 있습니다.

 

준법위는 지난 11일 삼성전자를 포함한 7개 그룹 계열사에 대한 권고문을 발표했습니다. 핵심은 경영권 승계 과정에서 있었던 불법행위와 노조 와해 공작 등에 대해 이재용 부회장이 직접 국민들에게 사과하고 재발 방지를 약속하라는 겁니다.

 

재판과정에서 삼성물산과 제일모직 합병 문제, 삼성바이오로직스 회계 조작 등 후계 승계를 위한 물밑작업의 실체가 드러나고 있습니다. 삼성전자서비스 및 삼성에버랜드 노조 와해에 조직적으로 개입했다는 혐의로 전·현직 임직원들이 구속됐습니다.

 

 

이런 상황에서 삼성그룹 ‘준법 리스크’의 원인으로 경영권 승계와 노동 의제를 지목한 준법위 판단은 주목할만합니다. 사과의 주체로 이재용 부회장을 지정해 총수 일가의 책임을 회사 차원으로 희석하지 못하게 한 점도 의미가 있습니다.

 

권고문에서 준법위는 “삼성그룹의 과거 불미스러운 일들이 대체로 ‘승계’와 관련이 있었다고 보았다” 며 노조활동에 대해서는 “자유로운 노조활동이 거시적 관점에서 오히려 기업가치를 창출할 수 있다는 발상의 전환이 필요하다” 고 지적했습니다.

 

하지만 사과의 대상이 국민이라는 점은 걸리는 대목입니다. 구체적인 피해자에 대한 반성 없이 모호한 ‘사과 이벤트’가 재현되는 것 아니냐는 우려가 나오는 이유입니다.

 

삼성전자 서초사옥 앞 25미터 높이 교통 관제탑에는 노조 설립을 추진하다 해고된 삼성해고노동자 김용희 씨가 고공 농성을 벌이고 있습니다. 삼성의 노조 탄압으로 목숨을 끊은 노동자도 있습니다. 

 

경영권 승계과정에서는 소액주주들이 큰 손실을 입었습니다. 이재용 부회장의 파기환송심이 열리는 날이면 서울중앙지방법원 앞에는 피해를 본 노동자들과 소액주주들의 피켓 시위가 이어집니다.

 

이재용 부회장의 사과는 국민이 아닌 피해자를 향해야 합니다. 피해자 구제와 책임자 처벌, 재발 방지 대책을 내놓아 불미스러운 사건이 반복되지 않는 체계를 구축하는 과정도 필요합니다. 이재용 부회장은 그간의 ‘맹탕 사과’가 지금의 사단을 만들었다는 것을 돌아봐야 할 것입니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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