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[코스피 마감] 美 파격적 유동성 지원책에 1%대 상승

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Friday, April 10, 2020, 15:04:58

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 1%대 상승 마감했다. 미국 연방준비제도(Fed)가 파격적인 유동성 정책을 내놓은 영향으로 풀이된다.

 

10일 코스피 지수는 전 거래일보다 24.49포인트(1.33%) 올라 1860.70을 가리켰다. 코스피가 1860선을 넘긴 것은 지난달 11일 이후 한달여 만이다.

 

간밤 연준은 최대 2조 3000억 달러의 유동성을 시중에 공급할 수 있는 조치를 발표했다. 일부 투기등급 회사채(정크본드)와 상업용 주택저당증권(CMBS), 대출채권담보부증권(CLO)까지 매입하기로 해 파격적이라는 평가다.

 

코로나19 사태로 인해 신용경색 리스크 경고등이 켜진 기업, 가계, 지방정부를 지원하기 위해 연준이 전격적으로 지원을 결정한 것이다. 특히 코로나 19 사태 이후 금융위기를 촉발시킬 수 있는 시한폭탄으로 지목되었던 대출채권담보부증권(CLO)마저 매입하기로 한 것은 미 연준의 금융 시스템 리스크를 선제적으로 차단하기 위한 목적으로 해석된다.

 

OPEC+(석유수출국기구인 OPEC과 10개 주요 산유국의 연대체)는 9일(현지시간) 긴급 화상 회의에서 하루 1000만 배럴 규모의 감산안을 논의했으나 멕시코의 수용 거부로 합의 없이 회의를 끝냈다. 이번 긴급회의가 시작되자 국제 유가는 10% 이상 상승했지만 회의 도중 감산량이 하루 1000만 배럴이라는 소식이 전해지면서 서부 텍사스산 원유(WTI)는 9.3%나 급락했다.

 

시장에서는 코로나19 우려에 기인한 글로벌 원유수요 감소분이 더욱 크기 때문에 이번 감산합의가 큰 효과를 발휘하지는 못할 것이란 평가가 나온다. 글로벌 원유수요 감소분은 약 2000만~2700만 배럴 규모인 것으로 추정된다.

 

김병연 NH투자증권 연구원은 “하락분의 50% 되돌림점인 1850포인트는 잠시 쉬어가는 구간으로 신용경색 우려, 우한 이동 재개와 라마단 등으로 인해 코로나19 재확산에 대한 경계감이 여전하다”며 “증안펀드 집행 미국 4차 재정정책 논의, OPEC+ 감산 합의 등 기대감도 높아 조정이 나타나더라도 하락분의 33% 되돌림점인 1700선 초반이 지지선으로 작용할 전망”이라고 분석했다.

 

수급적으로는 개인이 홀로 2538억원 가량 주식을 사들이며 지수를 끌어올렸다. 기관과 외국인은 각 2086억원, 552억원을 순매도했다.

 

업종별로는 상승 우위 흐름을 보였다. 특히 보험이 8% 이상 올랐고 의약품도 6% 이상 상승률을 나타냈다. 이밖에 철강금속, 전기가스업, 은행, 금융업, 증권, 운수장비, 비금속광물, 유통업 등도 강세였다. 반면 종이목재, 음식료품, 의료정밀, 전기전자 등은 파란불을 켰다.

 

시가총액 상위 10곳은 혼조세였다. 삼성바이오로직스가 코로나19 후보물질 위탁생산을 맡게된다는 소식과 함께 16% 이상 급등한 것을 비롯해 삼성물산, 현대차, 삼성전자, 삼성전자우가 빨간불을 켰다. LG생활건강, SK하이닉스, NAVER, 셀트리온, LG화학은 하락 마감했다.

 

이날 거래량은 9억 8119만주, 거래대금은 11조 8514억원 가량을 기록했다. 상·하한가 없이466종목이 상승했고 386종목이 하락했다. 기세 한 종목을 포함해 보합에 머무른 종목은 46개였다.

 

한편 코스닥은 4.69포인트(0.76%) 떨어져 611.26을 기록했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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