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나흘 만에 현장 찾은 이재용 부회장 “가혹한 위기 상황...시간이 없다”

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Friday, June 19, 2020, 14:06:51

경기 화성사업장 반도체 연구소 찾아..사장단과 기술 전략 점검

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 나흘 만에 DS(반도체)부문 사장단을 소집했습니다. 반도체 제품에 이어 연구 개발 전략을 점검하기 위해서인데요. 이 부회장은 일주일 사이 두 번의 사장단 간담회를 열며 반도체 미래 먹거리 점검에 적극 나서고 있습니다.

 

이 부회장은 19일 경기도 화성에 위치한 ‘삼성전자 반도체 연구소’에서 DS부문 사장단과 간담회를 열고, 반도체 미래 전략을 점검했습니다.

 

이날 간담회에서는 ▲차세대 반도체 개발 로드맵 ▲메모리 및 시스템반도체 개발 현황 ▲설비/소재 및 공정기술 등에 대한 중장기 전략 ▲글로벌 반도체 산업환경 변화 및 포스트 코로나 대책 등을 논의했습니다.

 

이 자리에는 김기남 DS부문장 부회장, 진교영 메모리사업부장 사장, 정은승 파운드리사업부장 사장, 강인엽 시스템LSI사업부장 사장, 박학규 DS부문 경영지원실장 사장, 강호규 반도체연구소장 등이 참석했습니다.

 

경기 화성사업장은 이 부회장이 올해 첫 현장 경영을 나섰던 곳입니다. 당시 이 부회장은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정 기술을 보고 받고, 사장단과 차세대 반도체 전략을 논의했습니다.

 

지난 1월 이 부회장은 “잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자”며 “우리 이웃, 사회와 같이 나누고 성장하는 것이 우리 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”라고 당부한 바 있습니다.

 

 

이 부회장은 지난 15일에도 반도체 제품(SET부문) 사장단 간담회를 열었는데요. DS부문 경영진과 글로벌 반도체 시황과 투자 전략을 논의했고, 이어 진행된 파운드리 전략 간담회에서 글로벌 시황, 무역 분쟁 영향, 선단 공정 개발 로드맵 등을 점검했습니다

 

이 부회장은 이날 반도체 연구소에서 진행된 간담회 이후 차세대 반도체를 개발 중인 연구원들을 찾아 격려했습니다.

 

반도체 연구소에서는 ▲선행 공정 및 패키징 기술 ▲공정 미세화 한계 극복을 위한 신소재 ▲반도체 소프트웨어 연구 등 차세대 반도체에 적용 가능한 미래 기술 연구를 진행하고 있습니다.

 

이재용 부회장은 “가혹한 위기 상황이다”며 “미래 기술을 얼마나 빨리 우리 것으로 만드느냐에 생존이 달려있다. 시간이 없다”고 말했습니다.

 

이재용 부회장은 같은 날 삼성전자 국내 주요 사업장의 안전 관리를 책임지고 있는 환경안전팀장들을 소집했는데요. 반도체 사업 분야가 확대되면서 사업장 수가 늘어나고, 규모도 커지면서 환경안전의 중요성이 커지는 상황입니다.

 

특히 이번 소집은 직원들의 안전과 인근 주민들의 안전을 위해 책임감을 가지고 일하자는 취지로 마련됐습니다.

 

이재용 부회장은 “환경안전 분야는 지속가능한 미래를 만드는 기반이다”며 “기술과 안전, 환경 모두에서 진정한 초일류가 될 수 있도록 중장기 로드맵을 체계적으로 구축해 나가야 한다”고 당부했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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