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녹십자랩셀 美 법인 ‘아티바’, 7800만 달러 규모 투자 유치

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Friday, June 26, 2020, 10:06:02

5AM 등 미국 바이오 분야 선도하는 VC 대규모 투자
차세대 NK 세포치료제 연내 미국서 임상 돌입 예정

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ녹십자랩셀의 미국 현지 세포치료제 개발 기업인 '아티바 바이오테라퓨틱스'가 7800만 달러 규모의 시리즈A 투자를 유치했습니다.

 

26일 GC녹십자랩셀에 따르면 아티바는 이번에 조달한 자금을 항체치료제 병용 제대혈 유래 NK세포치료제인 AB101과 차세대 AB200 시리즈(AB201 : HER2 CAR-NK, AB202 : CD19 CAR-NK 등) 개발에 투입할 계획입니다.

 

회사 측은 AB101은 올해 3분기에 미국 임상에 돌입하고, AB200 시리즈는 내년부터 순차적으로 임상에 진입할 것으로 전망하고 있습니다. 파이프라인의 원천인 GC녹십자랩셀은 마일스톤 달성 단계별로 아티바로부터 기술료를 받습니다.

 

미국 샌디에이고에 있는 아티바는 GC녹십자랩셀의 NK세포치료제 파이프라인 기술을 도입한 ‘NRDO’(개발 중심, No Research Development Only) 바이오 기업입니다.

 

시리즈A에는 ‘5AM’, ‘venBIO’, ‘RA Capital’ 등 미국 바이오 분야 리딩 벤처 캐피탈(VC)이 대거 참여했는데요. 초기 시리즈A 단계부터 글로벌 대형 투자자들과의 협업 체계를 구축했다는 점에서 큰 의미가 있다는 게 회사 측 설명입니다.

 

이번에 투자를 결정한 VC들은 글로벌 시장에서 주목받기 시작한 NK세포치료제 기술력뿐만 아니라, 회사의 인적 경쟁력도 높이 평가한 것으로 알려졌습니다. 실제 아티바 회사 구성원 대부분이 페이트, 주노 등 세포치료제 주력의 글로벌 바이오텍 출신 베테랑들입니다.

 

톰 퍼렐 아티바 CEO는 “GC녹십자랩셀과 파트너십을 통해 암환자들을 위한 안전하고 효과적이며 접근하기 쉬운 세포 치료법 상용화에 나서게 돼 기쁘다”며 “GC와 미국 투자자들의 새로운 자금 조달을 통해 여러 후보 물질들을 임상적으로 증명하고 발전시킬 수 있을 것으로 기대한다”고 말했습니다.

 

박대우 GC녹십자랩셀 대표는 “아티바는 글로벌 진출을 위해 글로벌 방식으로 설계한 진정한 현지화 모델”이라며 “세포치료제 시장이 CAR-T에서 CAR-NK로 개발 추세가 변화하고 있는 만큼 유전자 편집 및 줄기세포 유래 NK 세포치료제 등도 미국에서 개발을 이어갈 계획이다”고 말했습니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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