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이재용 부회장, 사내 벤처 프로그램 ‘C랩’ 찾아...미래 향한 도전 강조

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Monday, July 06, 2020, 14:07:50

수원사업장 방문해 C랩 임직원과 간담회 열어..2012년 사내 벤처육성 프로그램 개설
6년 동안 163명 직원 도전·45개 기업 창업..2018년 씨랩 아웃사이드로 확대 운영

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 미래를 향한 도전 정신을 강조했습니다. 최근 이 부회장은 광폭 경영행보가 이어지는 가운데, 사내 벤처프로그램 현장을 방문했습니다.

 

6일 삼성전자에 따르면 이 부회장은 수원사업장을 찾아 사내 벤처프로그램 ‘C랩’에 참여 중인 임직원들과 간담회를 열었습니다.

 

C랩은 삼성전자가 창의적 조직문화 확산을 위해 2012년 도입한 사내 벤처육성 프로그램인데요. 참여 임직원들에게는 1년간 현업에서 벗어나 본인들이 직접 낸 창의적인 아이디어를 스타트업으로 구현해볼 수 있는 기회가 제공됩니다.

 

지난 2012년부터 올해 상반기까지 C랩을 통해 스타트업에 도전한 163명의 직원들이 45개 기업 창업에 성공했습니다. 삼성은 C랩 운영 노하우를 사외로 확대해 2018년부터 외부 스타트업 육성 프로그램인 ‘C랩 아웃사이드’를 운영하고 있습니다.

 

앞서 삼성전자는 오는 2023년까지 사내 임직원 스타트업 과제(씨랩 인사이드) 200개, 외부 스타트업 육성(C랩 아웃사이드) 300개 등 총 500개의 사내외 스타트업 과제 육성을 발표한 바 있습니다.

 

최근 삼성전자는 씨랩 인사이드를 통해 5개 스타트업의 창업을 지원했습니다. 이 중 일부 스타트업은 올해 1월 미국 라스베이거스에서 열린 세계 최대 전자 전시회인 CES에 참가해 제품을 알리도 했습니다.

 

또 작년 우면동 삼성 R&D 캠퍼스에서 씨랩 아웃사이트 팀의 성과를 소개하는 첫 데모데이가 열리기도 했습니다. 육성 프로그램 졸업팀 10개팀의 서비스 소개와 현황 발표, 인터뷰, 패널토론 등을 통해 씨랩 아웃사이드의 성과를 보여줬습니다.

 

 

한편, 이재용 임직원들로부터 ▲C랩에 참여한 계기 ▲사내 벤처 활동의 어려움과 애로사항 등을 경청하고 ▲창의성 개발 방안 ▲도전적인 조직문화 확산을 위한 아이디어 등에 대해서도 자유롭게 의견을 나눴습니다.

 

이 부회장은 이 자리에서 “미래는 꿈에서 시작된다. 지치지 말고 도전해 가자. 끊임없이 기회를 만들자. 오직 미래만 보고 새로운 것만 생각하자”고 말했습니다.

 

이 자리에는 김현석 삼성전자 CE부문장 사장과 노태문 무선사업부장 사장, 최윤호 경영지원실장 사장 등이 배석했습니다.

 

이 부회장은 간담회에 앞서 C랩 스타트업들의 제품과 기술이 전시된 ‘C랩 갤러리’를 돌아보며 스타트업 기업들의 성과물을 직접 체험해보고, 개선 제안을 하기도 했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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