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방통위, 단통법 위반 이통3사에 과징금 512억...역대 최대

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Wednesday, July 08, 2020, 14:07:35

방통위 “이통3사의 7000억 원 규모 상생협력 지원 고려해 수위 낮춰”

인더뉴스 이진솔 기자 | 방송통신위원회(이하 방통위)가 단말기유통법(이하 단통법)을 위반한 이동통신3사에 500억 원대 과징금을 부과하기로 했습니다. 700억 원을 웃돌 것이란 예상보다는 낮지만 역대 최대 규모입니다.

 

방통위는 8일 전체회의를 열고 이용자간 지원금을 차별하는 등 단통법을 위반한 이통3사에 과징금 총 512억 원(SKT 223억 원·KT 154억 원·LGU+ 135억 원)을 부과하기로 의결했다고 이날 밝혔습니다.

 

이에 더해 사전승낙제를 위반하거나 부당하게 차별적 지원금을 지급한 125개 유통점에 대해서도 과태료 총 2억 7240만 원을 부과하기로 했습니다.

 

 

조사는 5세대(5G) 이동통신 상용화 이후 불·편법적 단말기 지원금이 확산하고 있다는 지적과 LG유플러스의 신고에 따라 지난해 4월부터 8월까지를 대상으로 이뤄졌습니다.

 

방통위 조사 결과에 따르면 이통3사 119개 유통점에서 공시지원금보다 평균 24.6만 원을 초과 지급한 것으로 나타났습니다. 초과지원금은 현금 지급, 해지위약금 대납, 할부금 대납뿐 아니라 사은품 지급이나 카드사 제휴할인 방식도 활용됐습니다.

 

가입유형이나 요금제에 따른 이용자 지원금 차별도 있었습니다. 신규 가입자보다 번호이동이나 기기변경에 22.2만 원을 더 지급하고 저가요금제에 비해 고가요금제에 29.2만 원을 더 주는 방식으로 이용자를 차별했습니다.

 

방통위는 이통3사가 단말기유통법 제3조 제1항(부당한 차별적 지원금 지급 금지) 및 제4조 제5항(공시지원금의 115% 초과 지급) 위반 행위를 방지하기 위한 유통점 주의 및 감독을 소홀히 했다고 봤습니다.

 

또한 이통3사가 가입유형과 요금제에 따라 차별적 장려금 등 판매 조건을 제시해 유통점에서 차별적 지원금을 지급하도록 유도했다고 판단했습니다. 이는 법 제9조 제3항을 위반한 것이라는 설명입니다.

 

한상혁 방통위원장은 “수차례에 걸친 방송통신위원회 행정지도에도 위반행위가 이어져 조사에 나섰다”며 “이통3사가 안정적으로 시장을 운영한 점, 조사에 적극적으로 협력한 점, 자발적으로 재발 방지 조처를 한 점 등을 고려해 과징금 감경비율을 정했다”고 했습니다.

 

이어 “신종 코로나바이러스 감염증(코로나 19)이라는 국가적 재난 상황에서 이통3사가 어려움에 부닥친 중소 유통점·상공인들을 위해 상생지원금, 운영자금, 경영펀드 등 재정지원을 약속한 점도 제재 수위를 정하는데 고려했다”고 설명했습니다.

 

방통위에 따르면 이통3사는 시정조치 의결과정에서 유통점에 대한 운영자금, 생존자금, 중소협력업체 경영펀드, 네트워크 장비 조기 투자 등을 위해 총 7100억 원을 지원하겠다고 약속했습니다.

 

방통위는 “향후에도 차별적 장려금을 통한 부당한 차별적 지원금 지급행위 등에 대한 모니터링 시스템을 개선할 것”이라며 “위반행위 발생 시 철저히 조사·제재해 나갈 예정”이라고 했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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