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현대모비스, 평택에 세 번째 전기차 핵심부품 공장 짓는다

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Wednesday, August 26, 2020, 15:08:50

총 355억원 투자..연 15만대 규모 전기차 모듈 생산
친환경차 핵심부품 국산화 및 대규모 양산 체계 구축

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대모비스가 충주·울산에 이어 평택에 친환경차 핵심부품 공장을 짓습니다. 기아차 화성공장과 가까운 이곳에서 연간 15만대 규모의 전기차 PE모듈이 생산될 예정인데요. 현대모비스는 총 355억원을 투자한 평택공장을 통해 미래차 시장에 차질없이 대응한다는 방침입니다.

 

현대모비스는 26일 오후 경기도 수원시 경기도청에서 평택공장 설립을 위한 투자협약식을 체결했습니다. 이 자리에는 이재명 경기도지사, 정장선 평택시장, 박정국 현대모비스 사장 등이 참석했습니다.

 

평택 신공장은 황해경제자유구역 내 평택 포승지구(BIX)에 위치하며, 부지는 총 1만 6726㎡(약 5000평) 규모입니다. 현대모비스가 355억원을 투자해 오는 9월부터 착공에 돌입하는데요. 내년 하반기부터 연간 15만대에 해당하는 전기차 전용 모듈부품을 양산할 예정입니다.

 

현대모비스의 이번 투자는 전기차 핵심부품 시장을 선도하겠다는 미래차 대응 전략의 일환입니다. 현대모비스는 선제적인 투자로 전동화 차량으로 패러다임을 전환하고 미래차 경쟁력도 한층 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

 

현대모비스는 친환경차 핵심부품 국산화와 대규모 양산 체계를 구축하고 있는데요. 지난 2013년 충주 전동화 핵심부품 전용공장과 2018년 충주2공장, 지난해엔 울산에서 전기차 핵심부품 전용공장 착공에 들어갔습니다.

 

이번 평택 신공장은 충주, 울산에 이어 수도권에 처음으로 들어서는 전기차 핵심부품 공장입니다. 기존 현대모비스의 친환경차 전용공장인 충주와 울산을 잇는 삼각편대를 형성해 제품 개발과 물류효율성 등 시너지를 낼 것으로 보입니다. 특히 기아차 화성공장과는 약 13km 거리에 불과합니다.

 

현대모비스는 평택공장에서 전기차용 핵심부품(모터, 인버터, 감속기 등)을 통합한 PE모듈과 섀시모듈(전후륜 차량하체부품류)을 생산해 현대·기아차에 공급할 예정인데요. PE모듈은 기존 내연차의 엔진역할을 담당하는 구동부품으로 전기차 전용 모델에 최적화된 핵심부품입니다.

 

현대모비스는 우선 내년 15만대 생산능력을 확보하고, 2026년까지 최대 30만대에 육박하는 PE모듈을 공급할 수 있도록 생산시설을 확대해 나갈 방침입니다.

 

정정환 현대모비스 모듈BU 전무는 “글로벌 전기차 시장 확대에 따라 세그먼트별로 적용할 수 있는 유연한 생산체계와 최신 설비를 갖춰 업계 표준을 선도할 수 있는 스마트공장으로 육성해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

이로써 현대모비스는 평택, 충주, 울산을 잇는 3대 친환경차 핵심부품 생산거점을 구축하게 됐습니다. 현대모비스는 이에 필요한 연구개발 투자도 지속적으로 강화할 예정인데요. 특히 자율주행과 전기차에 특화된 섀시모듈, 스마트캐빈(내장) 플랫폼 개발에 주력하는 모습입니다.

 

지난 상반기 현대모비스는 올해 초 계획한 R&D 투자의 50% 정도를 집행했는데요. 최근에는 경기도 의왕연구소를 전동화와 미래모듈사업에 특화된 연구개발 거점으로 육성하기 위해 3000억원을 투자한다고 밝힌 바 있습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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