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삼성전자, ‘갤럭시 Z 폴드2’ 전 세계 출시...내달까지 80개국 확대

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Friday, September 18, 2020, 09:09:25

미국 영국 싱가포르 등 18일 출시..국내는 22일까지 사전 예약 개통 후, 23일 일반 판매 시작

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 ‘갤럭시 Z 폴드2(Galaxy Z Fold2)’를 18일 전세계에 본격 출시합니다. 이번 ‘갤럭시 Z 폴드2(Galaxy Z Fold2)’는 기존 스마트폰의 한계를 뛰어 넘는 혁신적인 사용을 제공한다는 평입니다.

 

‘갤럭시 Z 폴드2’는 18일 미국 싱가포르 태국 영국·프랑스 등 유럽 주요 국가에서 출시되며, 10월 말까지 80여개국에서 출시될 예정입니다. 이는 지난 해 출시된 ‘갤럭시 폴드’의 출시국 대비 약 2배 많은 숫자입니다.

 

삼성전자 세 번째 폴더블폰인 ‘갤럭시 Z 폴드2’는 7.6형의 메인·6.2형으로 더욱 커진 커버 디스플레이를 경험할 수 있습니다. 또 혁신적인 하이드어웨이 힌지를 탑재해 폰을 원하는 각도로 세워서 사용할 수 있는 ‘플렉스 모드’,·두 개의 디스플레이를 자유자재로 넘나들며 끊김 없이 사용할 수 있는 ‘앱 연속성’ 등 폴더블폰만의 독창적인 차세대 모바일 사용 경험을 제공합니다.

 

삼성전자는 전세계 각 국가의 현지 상황에 따라 철저한 방역 시스템을 갖추고 출시 행사를 진행하거나 체험 매장을 운영하고 있습니다. 또한, 미국 뉴욕, 스페인 마드리드, 러시아 모스크바 등 주요 도시에 ‘갤럭시 Z 폴드2’ 대형 옥외광고를 운영하고 있습니다.

 

한편, 삼성전자는 '갤럭시 Z 폴드2'에 대한 예상을 뛰어 넘는 사전 예약 물량으로 인해 국내에서는 22일까지로 사전 개통 기간을 연장하고, 23일부터 일반 판매를 시작할 예정입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 빅테크와 AI 시장 주도권 경쟁…“차세대 HBM의 내년 계획도 논의 중”

SK하이닉스, 빅테크와 AI 시장 주도권 경쟁…“차세대 HBM의 내년 계획도 논의 중”

2024.05.30 16:40:20

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 현재 주력하고 있는 AI 메모리 HBM(고대역폭 메모리) 뿐만 아니라 새로운 메모리 솔루션 확보에도 집중하고 있다고 강조했습니다. SK하이닉스는 30일 자사 뉴스룸을 통해 SK하이닉스 신임 임원 좌담회를 최근 열고 SK하이닉스가 앞으로 나아가야 할 방향에 대해 논의했다고 밝혔습니다. AI 메모리가 각광을 받고 있는 현 시점에 대해 김기태 HBM 세일즈&마케팅(S&M) 부사장은 "생성형 AI 기술이 공공 서비스뿐만 아니라 B2C 시장에서 폭넓게 활용되고 있어 메모리의 활용도는 더욱 높아질 것"이라고 말했습니다. 이어서 "현재 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"라며 "이에 맞춰 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중"이라고 덧붙였습니다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 양산하며 견고한 시장 경쟁력을 보이고 있습니다. 여기에 그치지 않고 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기며 업계 위상을 더욱 강화하겠다는 방침입니다. 권언오 HBM PI 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"라며 SK하이닉스의 성장 배경에 대해 설명했습니다. 김기태 부사장 역시 "HBM을 적기에 공급하면서 대규모 양산 경험을 보유한 것도 우리가 높은 신뢰를 받는 이유라고 볼 수 있다"라며 자신감을 내비쳤습니다. 한편, AI 산업이 확장되면서 새로운 메모리 시장이 열리고 있다는 분석도 나왔습니다. 오해순 낸드 어드밴스드 PI 부사장은 "그동안 AI 산업에서 낸드에 대한 주목도가 높지 않았지만 대용량 AI 서버 수요가 늘면서 eSSD와 같은 낸드 솔루션이 각광받기 시작했다"라며 "여러 분야에서 신시장이 열리고 있는 만큼 다양한 메모리 제품들이 주목받고 있는 상황"이라고 말했습니다. 이어서 이재연 글로벌 RTC 부사장은 "차별화된 기술력을 갖추기 위해 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 '이머징 메모리'에 대한 관심도 커지고 있다"며 "특히 기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기 저항 메모리(MRAM), 저항 변화 메모리(RRAM), 상변화 메모리(PCM) 등이 주목받는다"고 전망했습니다. 이와 함께 좌담회에 참석한 SK하이닉스의 임원진은 소재 개발을 통한 품질 강화, AI용 고성능 낸드 기술력 제고, 차세대 메모리 연구개발 등에 대해서도 중요성을 강조했습니다.


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