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삼성전자 화성캠퍼스, 반도체 업계 최초 ‘물 사용량 저감’ 인증

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Tuesday, September 22, 2020, 10:09:18

英 카본 트러스트 조직단위 ‘물발자국’ 인증 수여받아

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 지속적인 수자원 관리 노력으로 반도체 업계 최초 ‘물 사용량 저감 사업장’으로 인정받았습니다.

 

반도체 생산시설과 연구소가 있는 삼성전자 화성캠퍼스는 22일 서울 플라자호텔에서 열린 영국 카본 트러스트 (Carbon Trust)의 인증 수여식에서 조직단위 ‘물발자국’ 인증을 수여 받았습니다.

 

이번 ‘카본 트러스트’는 영국 정부가 2001년 기후 변화 대응과 탄소 감축 방안의 일환으로 설립한 친환경 인증 기관입니다. 삼성전자는 지난해 5세대(9x단) V낸드 기반의 ‘512GB eUFS 3.0’이 제품단위 ‘탄소발자국’과 ‘물발자국’ 인증을 동시에 받은 바 있습니다.

 

조직단위 ‘물발자국’ 인증은 3년간 사업장에 사용하는 용수량과 용수 관리를 위한 경영체제를 종합적으로 평가해 수여합니다.

 

삼성전자는 철저한 수자원 관리를 환경보호의 시작점으로 인식하고 반도체 사업의 지속가능성을 높이기 위해 수자원을 ▲ 아껴쓰고 ▲ 재사용하고 ▲ 재활용하는 3R(Reduce, Reuse, Recycle) 활동을 10년 이상 지속해왔습니다. 또 용수 사용량 저감을 사업장의 경영지표로 관리해왔습니다.

 

반도체 제조공정은 청정도 확보와 생산성 향상을 위해 어떤 무기질이나 미립자가 포함되지 않는 ‘초순수’를 사용합니다. 반도체 집적도가 높아질수록 용수 사용량이 많아질 수밖에 없다는 게 삼성전자 측의 설명입니다.

 

삼성전자는 용수 사용량을 최소화할 수 있도록 공정을 최적화하고, 멤브레인 기술을 도입해 고농도폐수를 정화시켜 유틸리티 설비에 사용하는 등 폐수 재이용률을 높였습니다. 멤브레인은 특정성분을 선택적으로 통과 시켜 혼합물을 분리할 수 있는 막입니다.

 

또한 반도체 사업장의 전문적인 수자원 관리를 위해 수질을 전공한 박사급 인력들이 근무하고 있습니다. 또, 임직원 대상으로 30개 이상의 기술직무교육을 운영해 용수 절감 전문가를 양성하고 있습니다.

 

삼성전자 화성사업장은 이런 노력을 통해 2017~2018년 평균 사용량 5015만톤 대비 2019년 4911만톤으로 약 104만톤의 용수를 절감했습니다. 이는 20만 인구가 한달 사용하는 용수 사용량과 비슷한 수치입니다.

 

박찬훈 삼성전자 DS부문 글로벌인프라총괄 부사장은 “앞으로도 반도체 사업이 지속가능한 방향으로 나아갈 수 있도록 다양한 친환경관련 아이디어를 발굴하고 추진해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

한편, 삼성전자는 반도체 사업의 지속가능성 확대를 위해 수자원 관리뿐 아니라 저전력 특성을 극대화한 메모리 솔루션 제공, ‘탄소발자국·물발자국 인증’, ‘폐기물 매립제로 골드 인증’ 등 다양한 친환경 인증을 획득하는 등 에너지 사용 절감을 위해 노력해왔습니다.

 

삼성전자는 “최근 기업의 사회적 책임에 대한 범위와 중요성이 확대되면서 올해 7월 반도체 사업의 지속성장 기반을 구축하기 위해 DS부문 산하에 지속가능경영사무국을 신설했다”며 “앞으로도 환경·사회문제 해결을 위해 적극적으로 노력할 계획이다”고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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