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[이건희 별세] 이낙연·박용만·정의선 등 이건희 회장 빈소 조문 이어져

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Monday, October 26, 2020, 12:10:13

정·재계서 이건희 회장 별세에 “훌륭한 분 돌아가셔서 안타깝다” 한 목소리

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ26일 이건희 회장 입관식이 끝나자 본격적인 조문이 시작됐습니다. 정치권과 재계는 이 회장의 장례식장을 잇따라 방문해 조문 행렬이 이어지고 있습니다.

 

26일 박용만 대한상공회의소 회장은 오전 9시 40분경 서울삼성병원 장례식장을 방문해 조문했습니다. 박용만 대한상의 회장은 10분간의 조문을 마친 뒤 취재진에 “이재용 회장의 시대가 활짝 열리길 바라는 게 고인의 마지막 생각이 아니셨을까”라며 “영정을 보면서 그런 생각이 들었다”고 말했습니다.

 

비슷한 시간 황창규 전 KT 회장도 장례식장에 도착했습니다. 황 전 회장은 이건희 회장 별세에 대한 소감을 묻는 취재인에 “어른이 돌아가셔서 마음이 아프다”며 “저희가 잘해야 할 것 같다”고 말한 뒤 빈소로 향했습니다.

 

어제에 이어 오늘도 현대가(家)의 조문 행렬이 이어졌는데요. 정지선 현대백화점그룹 회장은 10시 10분경 조문을 마친 뒤 취재인에 “유족께 많이 힘드셨겠다고 간단히 전해드렸다”고 말했습니다.

 

 

정의선 현대차그룹 회장도 10시 50분경 빈소를 찾아 15분 가량 머물렀습니다. 정 회장은 “너무 훌륭한 분이 돌아가셔서 참 안타깝다”며 “고인은 우리나라 경제계에서 모든 분야에 1등 정신을 아주 강아게 심어주신 인물이다. 항상 따뜻하게 잘 대해줬던 기억이 난다”고 말했습니다.

 

이어 정 회장은 “이재용 삼성전자 부회장 체재의 어떤 변화를 기대하느냐”는 질문에 “여러가지로 좋은 방향의 큰 변화가 있을 것으로 기대한다”고 짧게 답했습니다.

 

정치권의 조문도 이어졌습니다. 삼성전자 상무 출신 양향자 더불어민주당 의원은 9시 40분경 조문을 위해 장례식장을 찾았습니다.

 

양 의원은 “삼성 반도체 위에 세계를 품은 세계인이셨고, 기술 기반 위에서 미래를 개척한 미래인이셨다”며 “27년 재임기간이 저의 30년과 같다. 배움이 짧은 저에게 거지근성으로 살지말고, 주인으로 살아라는 이런 말씀이 기억난다”고 말했습니다.

 

 

이낙연 더불어민주당 대표도 10시 56분경 삼성서울병원 장례식장에 마련된 이건희 삼성전자 회장의 빈소를 찾아 조문했습니다.

 

조문을 한 뒤 기자들과 만난 이 대표는 “고인께서 보통 사람들은 상상도 할 수 없는 탁월한 혁신을 이루시고 세계적 기업으로 국가적 위상과 국민의 자존심을 높여주신 데 대해 감사드린다”고 말했습니다.

 

이어 “이제까지 고인께서 해오신 것처럼 한국 경제를 더 높게 부양시키고, 앞으로 세계인의 사랑을 받는 기업이 되면 좋겠다”고 덧붙였습니다. 이 대표는 ‘이건희 회장과의 추억’을 묻는 질문에는 “개인적으로 가까운 거리였던 적은 없다”고 답했습니다.

 

이밖에 안민석 더불어민주당 의원과 성윤모 산업통상자원부 장관도 이날 오전 장례식장을 찾아 조문했습니다. 오후에는 정세균 국무총리, 저녁에는 홍남기 경제부총리 등도 서울삼성병원 장례식장을 찾을 예정입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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