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이재용 파기환송심서 ‘삼성 준법위’ 평가 격론...특검 “최소 징역 5년 선고”

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Monday, December 21, 2020, 19:12:21

특검·이재용 측, 전문심리위원 삼성 준법위 평가 두고 의견 극과극
특검 “총수 두려워할만한 제도 아냐” vs 이재용 측 “실효성 인정”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장의 파기환송심에서 삼성 준법감시위원회에 대한 전문심리위원들의 평가를 둘러싸고, 특검과 삼성 측이 팽팽하게 맞섰습니다.

 

특검은 전문심리위원회들의 삼성 준법감시제도에 대한 평가가 부정적이었다고 해석한 반면 삼성 측은 실효성, 지속가능성 등의 긍정 평가를 부각해 각기 다른 해석을 내놨습니다.

 

서울고법 형사1부(정준영 송영승 강상욱 부장판사) 심리로 21일 열린 이 부회장의 속행 공판이 진행됐습니다. 이날 오후 1시 40분께 법원에 도착한 이 부회장은 2주 만에 다시 법정에 출석했습니다.

 

이날 공판은 특검과 이 부회장 측이 전문심리위원 3인이 삼성 준법감시위원회에 대한 최종 입장을 밝히는 자리였는데요. 전문심리위원은 김경수 법무봅인 율촌 변호사, 홍순탁 회계사, 강일원 전 헌법재판관으로 구성됐습니다. 이들이 평가한 보고서는 전체 82쪽 분량입니다.

 

전문심리위원 중 홍순탁 회계사는 삼성 준법 감시위에 부정 평가를 냈고, 김경수 변호사는 긍정적으로 평가해 서로 엇갈렸습니다. 다만, 강일원 전 헌법재판관은 몇 가지 항목에 대해 미흡 평가를 냈지만, 준준법위의 실효성과 지속가능성은 인정했습니다.

 

이날 재판에서 특검은 삼성 준법위 평가에 한계가 있다고 지적했습니다. 특검은 “(이번 평가는)실질적 유효성 여부를 판단할 수 있는 충분한 검증이 이뤄지지 않았고, 가장 기초적인 항목에 대한 검증이 이뤄졌다는 한계가 있다”고 말했습니다.

 

이어 특검은 “이번 평가 결과로 재판부가 강조한 그룹 총수가 두려워할 만한 정도의 제도라는 점이 충족되지 않았다”며 “결국 범행의 진지한 반성이라는 양형 요소를 인정하기 불가능해 피고인들에게 유리한 양형 사유가 될 수 없다”고 주장했습니다.

 

그러면서 “이 부회장에 대한 권고 형량 범위는 5년에서 16년 5개월 사이”라며 “준법감시위의 실효성이 인정되더라도 징역 5년 이하의 형을 선고하는 사유는 될 수 없다”고 강조했습니다.

 

이재용 부회장 측은 삼성 준법위 평가에 대해 실효성, 지속가능성 등 긍정적이라는 해석을 내놨습니다. 다만, 전문심리위원의 평가가 점검 항목에만 한정돼 긍정과 부정 평가의 개수를 헤아리는 것으로 종합결론을 도출하는 것은 불합리하고 부적절하다고 지적했습니다.

 

이 부회장 측은 “준법감시위는 8개월 동안 안건 833건을 처리하면서 의견제시 129건 등의 조치를 했다”면서 “이 부회장은 노조 활동 보장, 4세 경영 포기 등을 국민 앞에서 말했다”고 주장했습니다.

 

이어 “삼성 관계사 준법조직의 위상 강화도 약속했다"며 "업무조직을 분리해 이사 직속기구로 편제했고 모든 이사회 참석 권한, 소집 요청 권한 부여 등 준법조직의 위상도 강화됐다”고 강조했습니다.

 

이 부회장 측은 또 전문심리위원들로부터 지적받은 계열사들의 권고 불이행이나 탈퇴 가능성, 대응책 지연, 삼성물산 합병 관련 조사 미흡 등에 대해서도 조목조목 반박했습니다.

 

한편, 재판부는 이 부회장의 파기환송심 결심공판을 오는 30일 오후 2시 5분에 진행키로 했습니다.

 

이와 관련, 재판부는 “준법감시위의 실효성과 지속가능성, 이를 양형 조건으로 고려할지, 고려하게 되면 어느 정도로 고려할지는 모두 재판부 판단 사항”이라며 “다만 유일한 양형 조건이라거나 가장 중요한 양형 조건은 아니다”라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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