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검찰, ‘채용비리’ KEB하나은행도 압수수색 돌입

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Thursday, February 08, 2018, 13:02:57

은행장실·서버·인사부 사무실 등..지원자 ‘VIP리스트’ 관리·특정 대학 지원자 합격 조작 혐의

[인더뉴스 정재혁 기자] 검찰이 KB국민은행에 이어 ‘채용비리’ 혐의를 받고 있는 KEB하나은행의 본점을 압수수색했다. KEB하나은행은 신입사원 채용 과정에서 이른바 ‘VIP 리스트’ 지원자들에게 특혜를 제공하고, 특정 명문 대학교 출신 지원자들을 합격시키기 위해 타 수도권 대학 지원자를 고의로 탈락시킨 혐의를 받고 있다.

 

서울서부지검 형사5부(정영학 부장검사)는 8일 오전 서울 중구 KEB하나은행 본사(을지로 신사옥)에 검사 2명과 디지털포렌식 요원 등 총 16명을 보내 압수수색을 진행 중이다. 채용비리에 의한 업무방해 혐의로 압수수색 영장을 발부받았고, 압수수색 대상은 은행장실을 비롯해 은행 서버, 인사부 사무실 등이다.

 

 

검찰은 하나은행 서버를 들여다보고 인사 관련 자료들을 확보해, 인사팀 채용 업무에 경영진의 부당한 개입이 있었는지 확인할 방침이다. 이미 금융감독원이 클라우드 컴퓨팅 시스템을 통해 하나은행 인사 관련 자료를 많이 확보한 상태이며, 검찰은 이 중 빠진 부분에 대한 추가 자료 확보에 나선 상태다.

 

하나은행은 사외이사나 계열사 사장과 연관된 신입채용 지원자들을 ‘VIP 리스트’로 작성해 관리하며 채용 과정에서 특혜를 준 것으로 알려졌다. 지난 2016년 공채 지원자 중 리스트에 포함된 55명이 전원 서류전형을 통과했고, 필기전형을 통과한 6명은 임원면접에서도 모두 합격했다.

 

특히, 하나은행 계열사인 하나카드 전임 사장의 지인 자녀는 임원면접 점수가 당초 4.2점으로 ‘불합격’이었지만, 이후 4.6점으로 높아져 합격했다. 리스트 내 다른 지원자 또한 면접 점수에서 혜택을 받은 것으로 알려졌다.

 

또한, 하나은행은 특정 대학 지원자들을 합격시키기 위해 면접점수를 조작한 것으로 드러나 청년 취준생들로부터 공분을 사고 있다. 서울대와 연세대, 고려대, 미 위스콘신대 등 특정 대학 지원자 7명을 합격시키기 위해 이들의 임원점수를 높이고, 명지대·동국대 등 타 대학 출신 지원자들의 점수를 고의로 낮춘 혐의다.

 

한편, 서울남부지검은 지난 6일 채용비리 의혹을 받고 있는 KB국민은행 여의도 본사를 압수수색한 바 있다. KB국민은행의 경우 윤종규 KB금융지주 회장의 종손녀가 비리에 연루돼 있어 회장 집무실까지 압수수색 당했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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