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“퇴직연금 중도인출 허용범위, 단계적으로 축소해야”

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Sunday, March 04, 2018, 12:03:00

보험연구원, ‘퇴직연금 중도인출 사유와 개선과제’ 발표
“중도인출 사유·한도 금액·담보대출 연계 등 검토 필요”

[인더뉴스 박한나 기자] 우리나라의 퇴직연금은 중도 인출되는 사례가 빈번한 상황이다. 중도인출의 광범위한 허용 범위, 한도 미설정 등이 주요 원인. 이에 따라 연금재원 확보를 통해 근로자의 안정적 노후생활이 보장되도록 주요 선진국에 준하는 중도인출제도의 개선이 필요하다는 지적이다. 

 

4일 보험연구원(원장 한기정) 소속 류건식 선임연구위원과 김동겸 수석연구원은 ‘퇴직연금 중도인출 사유와 개선과제’ 보고서에서 “퇴직연금 적립금이 은퇴시점까지 인출되지 않고 연금재원으로 적립할 수 있도록 유도하는 제도 개선이 필요하다”고 밝혔다. 

 

근로자퇴직급여보장법에서는 일정 사유에 한해 근로자에게 중도인출과 담보대출을 허용하고 있다. 중도인출은 최고한도가 적립금의 50% 이내로 제한된 담보대출과 달리 최고한도에 관한 규정이 없어 전액 또는 부분인출이 모두 가능하다. 

 

우리나라는 중도인출 사유가 광범위해 노후재원 소진이 우려된다는 것이 류건식 연구위원의 주장이다. 2016년 기준 통계청이 발표한 중도인출 사유를 보면 주택구입(45.7%), 장기요양(25.7%), 전세금·임차보증금 충당(18.1%) 순으로 나타났다. 특히, 주거 관련 비용 충당 목적의 중도인출이 대부분을 차지하고 있다.

 

반면, 미국은 사망, 영구장애, 의료비 지출 등 경제적 곤란 등 긴급자금수요 발생이라는 제한적 사유에 대해서만 중도인출을 예외적으로 허용하고 있다. 해당 사유별 중도인출한도도 정해져 있어 필요금액 한도 내에서만 인출이 이뤄진다.  

 

예를 들어, 중간정산을 신청한 가입자는 보험, 자산매각 등 다른 재원으로 긴급자금을 충당할 수 없다는 사실을 입증하도록 규정돼 있다. 의료비 지출은 총소득의 7.5% 초과한 금액, 최초 주택구입비와 재건축비용 등에 대해서는 1만 달러로 총액 한도를 설정하고 있다. 

 

우리나라는 중도인출 사유에 해당하는 경우 적립금 전액인출이 가능해 주택구입 목적 등으로 전부 인출되고 있다. 현행 중도인출은 최고한도가 적립금의 50% 이내로 제한된 담보대출과 달리 최고한도에 대한 규정이 없어 전액 또는 부분인출이 모두 가능하기 때문이다. 

 

무엇보다 우리나라는 담보권의 설정·실행·상계처리 등 담보대출의 세부규정 미흡으로 퇴직연금 담보대출이 거의 활용되지 못 하고 있다. 미국은 담보대출을 우선시하고 특정 조건을 충족하는 경우에 한해서만 중도인출이 이뤄지도록 하는 등 중도인출과 담보대출 간 역할 분담을 강화하고 있다. 

 

이에 따라 류건식 연구위원은 사망, 영구장애 등 가계의 재무적 곤경 발생에 한해 중도인출이 이루어지도록 단계적인 제도 개선이 필요하다고 주장했다. 근로활동이 불가능한 사유를 중심으로 중도인출이 이뤄지도록 중도인출 허용범위를 단계적으로 축소해야 한다는 것이다. 

 

또한, 주택구입비, 임차보증금, 요양비용 등에 대한 중도인출 금액한도 기준을 세부적으로 마련해 필요한 금액 한도 내에서 중도인출이 이뤄지도록 해야 한다고 류 연구위원은 주장했다. 주택구입 등을 위한 인출이 과도하지 않도록 적립금의 일정비율, 일정금액으로 한도를 설정해야 한다는 것. 

 

류건식 위원은 “담보대출의 상환기간, 담보권의 설정·실행, 상계처리에 대한 명확한 규정이 없어 퇴직연금 담보대출은 거의 활용되지 못 하고 있다”며 “근로자 퇴직급여보장법에서 규정한 담보대출이 근로자의 일시적 자금수요에 활용될 수 있도록 관련 규정의 재정비가 요구된다”고 말했다. 

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박한나 기자 monster127@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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