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ISS, KB노조 추천 사외이사 반대..노조측 반발

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Thursday, March 15, 2018, 16:03:13

금융사 포함 상장회사 이사회 활동 無..노조 “이사회 추천 후보 3명도 기업활동 경력 없어”

[인더뉴스 정재혁 기자] 세계적인 의결권 자문사 ISS(Institutional Shareholder Services)가 오는 23일로 예정된 KB금융지주 주주총회를 앞두고 노조 추천 사외이사 선임 등에 반대 의견을 내자, KB노조 측이 즉각 반발하고 나섰다. 

 

15일 금융권에 따르면 ISS는 KB노조가 주주제안권을 통해 제안한 3개의 안건 중 2개의 안건에 대해 반대 의사를 밝혔다. 2개의 반대 안건은 권순원 숙명여대 교수의 사외이사 선임안과 낙하산 인사 방지 정관변경 안이며, 사외이사후보추천위원회를 사외이사로만 구성토록 한 정관변경 안은 찬성했다.

 

ISS는 권 교수 사임이사 선임 안건에 대해 “이병남 이사의 임기 만료로 HR 전문가인 권 교수의 전문성이 기업가치를 제고하는 데 기여할 수 있다”면서도 “회사의 설명에 따르면 HR보다는 재무, 법, 소비자 보호 분야의 전문성 보강이 시급하다”고 말했다.

 

이어 “권 교수가 금융사를 포함한 상장 회사 이사회 활동 경험이 없어 이사로서의 성과를 평가할 수 없다”며 “KB금융 전체 주주가치 제고를 위해 어떤 계획을 하고 있는지가 분명히 제시되지 않았다”고 반대 이유를 설명했다.

 

이러한 ISS측의 설명에 대해 노조 측은 “기업가치를 제고하는 데 기여할 수 있다면서 반대의견을 제시한 것은 사외이사 세 자리를 놓고 4명의 후보가 경선하는 것으로 착각하고 있는 것 아니냐”며 “(정관이나 이사회 규정 등에 대한) 기본적인 이해가 있는지도 의문”이라고 말했다.

 

또한, 노조는 “권 교수가 금융사를 포함한 상장회사 이사회 활동 경력이 없다”고 지적한 ISS측의 반대 의견에도 이의를 제기했다. 이사회 추천 사외이사 후보인 선우석호, 최명희, 정구환 후보 역시 이사회 활동 경력이나 기업활동 경력이 전혀 없다는 것이다.

 

노조는 ISS가 낙하산 인사 방지 정관변경안에 대해 “정당 선택의 자유를 침해한다”며 반대한 것에 대해서도 어불성설이라고 지적했다. ISS는 지난해 임시주총에서 노조가 추천한 하승수 변호사를 ‘전직 정당인’이라는 이유로 반대했는데, 이번 낙하산 사외이사 선임을 금지하는 안에 반대하는 것은 앞뒤가 맞지 않다는 주장이다.

 

박홍배 국민은행 노조 위원장은 “ISS는 세계적인 권위에도 불구하고 매년 1000여개에 이르는 국내 기업들에 대해 단기 아르바이트 인력에 의존하는 등 전문성 부족 문제를 스스로 드러내고 있다”며 “ISS야말로 전체 주주가치 제고를 위해 어떤 노력을 하고 있는지 고민해야 할 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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