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신용카드사, 작년 순익 1조 2268억원..전년比 32.3%↓

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Tuesday, March 20, 2018, 12:03:00

금감원, ‘2017년 신용카드사 영업실적’ 발표..“비씨카드 제외 7개사 순이익 감소” 

[인더뉴스 박한나 기자] 작년 신용카드사의 당기순이익이 크게 줄어든 것으로 나타났다. 

 

20일 금융감독원이 발표한 ‘2017년 신용카드사 영업실적’에 따르면 작년 신한·KB국민·삼성·현대·우리·하나·롯데·비씨카드 등 8개 전업카드사의 순이익은 1조 2268억원으로 작년(1조 8132억원)보다 32.3%(5864억원) 감소했다. 

 

이는 우대수수료율 적용대상인 영세·중소가맹점 확대(작년 7월), 부가서비스 등 마케팅비용 증가, 충당금 적립 기준 강화(작년 6월) 등에 따른 대손비용 증가 등에 기인했다. 카드사별로는 비씨카드를 제외한 7개사의 순이익이 하락했다. 

 

 

비씨카드는 작년 1441억원의 순이익을 기록, 작년보다 39억원 증가했다. 신한카드(4227억원), 삼성카드(3161억원), KB국민카드(1626억원), 현대카드(1538억원), 우리카드(403억원), 롯데카드(128억원), 하나카드(0억원)는 순이익이 감소했다.

 

작년말 기준으로 카드사의 (총채권)연체율은 1.37%로 작년(1.44%)보다 0.07%p 하락했다. 카드대출 연체율은 2.27%로 작년말(2.26%)에 비해 소폭 상승했다. 1년 만기 국고채와 카드채의 유통수익률 차이를 뜻하는 카드채 스프레드는 23bp로 작년말(28bp)보다 5bp 하락했다.

 

카드사의 조정자기자본비율은 24.1%로 작년말(25.5%)보다 1.4%p 하락했다. 레버리지비율은 4.5배로 작년말(4.3배)보다 소폭 상승했지만, 카드사 모두 감독규정상 지도기준인 6배 이내를 준수했다.

 

신용카드 발급매수는 9946만매로 작년말(9564만매)보다 4.0% 증가했다. 휴면카드수(800만매)는 작년말과 비교해 5.9% 떨어졌다. 체크카드 발급매수는 1억 1035만매로 작년말(1억 848만매)보다 1.7%(198만매) 증가했다.

 

신용·체크카드 이용액은 788조 1억원으로 작년(746조원)보다 5.6% 증가했다. 현금서비스와 카드론 등 카드대출 이용액은 98조 4000억원으로 작년보다 0.5% 증가했다. 현금서비스(단기 카드대출) 이용액은 작년과 비슷한 수준이지만, 카드론(장기 카드대출)은 작년 대비 소폭 증가해 증가세가 둔화되는 추세를 보였다. 

 

금감원 관계자는 “미 연준의 기준금리 인상 등 대내·외 경제여건 변화에 대응해 카드채 스프레드 변동 등 카드사의 자금 조달여건을 점검하겠다”며 “연체율 추이를 모니터링하는 한편 충당금 적립의 적정성 여부 등을 검사하겠다”고 말했다.

 

이어 그는 “‘제살깎기식 경쟁’을 통한 과도한 마케팅 활동을 자제하고, 부수업무 활성화 등을 통한 카드사의 수익원 확충을 유도할 계획”이라며 “카드이용자의 권익을 높이기 위해 카드사의 영업관행 개선 과제도 차질없이 추진해 소비자보호를 강화하겠다”고 말했다. 

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박한나 기자 monster127@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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