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보험사 고금리계약 재보험 가능..관련 시장 커진다

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Thursday, April 12, 2018, 18:04:07

금감원, K-ICS 초안에 금리리스크 재보험 전가 내용 삽입..“금리리스크 인수 재보험사 해외에 존재”

[인더뉴스 정재혁 기자] 보험사들이 과거 고금리 시절 판매했던 금리확정형 저축성보험의 금리리스크를 재보험사에 전가할 수 있는 길이 열렸다. 국내 재보험 시장에서의 활성화 여부가 주목되는 가운데, 해외의 경우 금리리스크를 전가 받아 이익을 내는 재보험사들이 이미 존재하고 있는 것으로 알려졌다.

 

12일 보험업계에 따르면 금융감독원은 신지급여력제도(K-ICS) 도입 초안에 '과거에 판매된 고금리 확정형 저축성보험의 금리리스크를 재보험사에 전가할 수 있도록 한다'는 내용을 넣은 것으로 알려졌다. 

 

현재 보험업법상 금리리스크를 재보험사에 전가하는 것은 불가능하지만, 이번 금감원의 결정으로 향후 관련 법안을 개정할 가능성이 높아졌다. 이에 따라 원수사와 재보험사 간 금리리스크 거래가 활발해질지 여부가 주목된다.

 

업계에서는 자체적인 자본확충 여력이 부족한 국내 중소형사들을 중심으로 혜택을 볼 것으로 내다봤다. 대형사들도 중소형사들 만큼은 아니지만, 금리리스크를 헷지할 수 있는 방법이 하나 더 생겼다는 점에서 반기는 눈치다. 

 

모 생보사 관계자는 “대형사들은 국제 신용등급이 높아 해외에서 자본조달이 비교적 수월한 편이지만, 중소형사들은 신용등급을 받는 것조차 어려운 실정”이라며 “중소형사들의 재보험 거래가 크게 늘 것”이라고 예상했다.

 

긍정적인 시각과는 달리 거래가 활발하지 않을 것이란 전망도 나온다. 금리리스크는 재보험사 입장에서 평가가 어렵고 인수금액이 조 단위에 이를 정도로 크기 때문이라는 게 주된 이유. 이미 해외에는 금리리스크를 원수사로부터 전가 받아 이익을 내는 재보험사가 존재하는 것으로 알려졌다.

 

한 보험업계 관계자는 “워렌 버핏의 ‘버크셔 헤서웨이’ 같은 회사가 대표적인 예”라며 “해외에 이미 금리리스크를 수재하는 재보험사들이 더러 있기 때문에 거래가 없진 않을 것”이라고 내다봤다.

 

이어 “금리리스크 평가 방식이 나와 봐야 알겠지만, 재보험사 입장에서는 고금리 상품을 수재하는 만큼, 이익을 낼 수 있는 저위험 상품을 함께 수재하는 방식으로 리스크 관리를 하면 된다”며 “향후 보험사들과 재보험사들 간에 논의가 활발해질 것으로 예상된다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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