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지난해 실손보험 손해율 10%p↓..“보험료 인상 영향”

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Sunday, April 15, 2018, 12:04:00

금감원, 2017년 보험사 실손보험 현황 발표..위험손해율 131.3%→121.7%로 개선

[인더뉴스 정재혁 기자] 지난해 보험사의 개인실손의료보험 손해율이 전년에 비해 10%p 가까이 개선된 것으로 나타났다. 보험료 인상에 따른 수익 증가가 결정적인 요인으로 작용했다는 분석이다.

 

14일 금융감독원(원장 김기식)이 발표한 ‘2017년 보험회사의 실손의료보험 손해율 등 현황’에 따르면, 지난해 생명·손해보험사의 실손보험 위험손해율은 121.7%로 나타났다. 전년(131.3%) 대비 9.6%p 감소한 수치다. 

 

위험손해율은 발생손해액을 위험보험료로 나눈 수치다. 위험손해율이 100%를 넘어가면, 보험사 입장에서는 들어온 돈(위험보험료) 보다 나간 돈(발생손해액)이 더 많다는 뜻이다.

 

지난해 손해율 개선은 위험보험료가 큰 폭으로 증가한 반면, 발생손해액의 증가세는 둔화된 데 따른 것이다. 지난해 보험료수익은 7조 4071억원으로 전년 대비 15.4%(9861억원) 증가했지만, 발생손해액은 7조 5668억원으로 전년 대비 8.5%(5945억원) 증가하는 데 그쳤다.

 

보험료수익 증가의 주요한 요인으로는 보험료 인상이 꼽힌다. 지난해 손보사들은 적게는 2.8%에서 많게는 32.8%까지 보험료를 인상했다. 생보사들도 최대 21.7%까지 보험료를 올린 곳이 있었다. 

 

상품종류별로 보면 자기부담금이 없는 표준화 이전 실손(2009년 10월 이전 판매)의 손해율이 131.5%로 표준화실손(2009년 10월~2017년 3월)의 116.5%보다 높았다. 작년 4월에 출시된 신실손보험은 판매초기이기 때문에 손해율이 58.6%로 낮았다.

 

한편, 작년말 개인실손의 보유계약은 3419만건으로 전년말(3332만건) 대비 2.6%(87만건) 증가했다. 전국민(5178만명)의 66.0%가 개인실손에 가입돼 있다는 의미다.

 

보유계약은 손보가 81.5%(2787만건)를 점유하고 있으며 생보사는 18.5%(632만건)이었다. 상품별로는 표준화실손이 2215만건, 표준화 이전 실손 1032만건, 신실손 168만건 등이며 2014년 8월에 출시된 노후실손은 2만 9000건에 머물렀다.

 

금감원 관계자는 “올해의 경우 정부의 건강보험 보장성 강화 추진에 따른 실손보험의 손해율 개선이 예상돼 보험료를 인상하지 않았다”며 “비급여 항목의 급여화 일정 등에 따른 손해율 동향을 지속적으로 모니터링 할 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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