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신한금융, 채용비리 판도라 상자 열리나

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Monday, May 14, 2018, 10:05:39

금감원, 특혜채용관련 정황 총 22건 적발..연령·성 차별도 있어
일각서 “남산3억 문제와 학력차별 건도 적극적인 재조사 필요”

 

[인더뉴스 문혜원 기자] 신한금융이 남산3억 관련 의혹 등 검찰과거위원회에서 재조사가 결정된 이후 채용비리 문제 정황도 드러나 난감한 상황에 빠졌다. 김기식 전 금융감독원장의 사퇴로 흐지부지될 뻔 했던 조사가 한 달 동안 끈기 있게 이뤄진 결과다.

 

금융감독원은 지난 11일 브리핑에서 ‘신한금융 채용관련 검사 잠정결과’를 공개했다. 그 결과, 신고센터를 통해 접수된 36건 중 22건의 채용비리 정황이 발견됐다. 이중에서 신한은행이 13건, 신한카드가 4건, 신한생명이 6건이었다.

 

금감원은 이번 조사를 위해 의혹제기가 불거졌던 지난 1992년 자료부터 최근까지의 자료를 전산서버와 채용 담당직원들의 PC를 모두 복구했다. 이 과정에서 2013년부터 2015년까지 입사자들의 추천자, 전형단계별 평가자료 등을 일부 확보했다.

 

채용추천에 따른 특혜채용 정황을 살펴보면, 신한은행 현직 임직원 자녀가 5건, 외부 추천이 7건으로 나타났다. 신한생명은 2013년부터 2015년까지 채용과정에서 임직원 자녀인 지원자에 대해 서류심사 점수를 임의로 상향조정했다는 정황 6건도 발견됐다.

 

특히, 서류심사 때 학력차별건만 제외하고, 연령·성별을 근거로 지원자를 차등한 사실도 있었다. 신한은행은 2016년 상반기 채용에서 만 28세가 넘는 남성 지원자(1988년 이전 출생자)와 만 26세(한국 나이 27세)이상의 여성 지원자(1990년 이전 출생자)를 서류심사에서 탈락시켰다.

 

신한카드는 채용 공고문에 ‘연령제한 없음’을 명시했는데도, 33세 이상 및 31세 이상 지원자를 서류심사에서 자동 제외했다. 서류지원자의 남녀 비율은 59:41이었으나, 서류전형 단계부터 7:3으로 정하고 이후 최종 선발 때 같은 비율이 유지되도록 관리했다.

 

하지만 해당 행원 관계자에 따르면 학력 차별 건이 없다는 것에 대해 의문을 제기했다. 신한은행은 신입채용시 애초부터 학교별 쿼터를 정해놓고 해당 학교끼리 경쟁을 시켰다는 것이다.

 

A 행원 관계자는 “실제로 전현직 임직원의 자녀 수가 많은 것으로 알고 있다”면서 “유독 신한은행이 학력차별이 심해서 조사의 필요성이 더 큰 것 같다”고 지적했다.

 

이와 관련, 권창우 일반은행검사국장은 “신고 접수 건 중 자료의 한계 때문에 구체적인 리스크 과정은 파악하기 어려웠다”면서 “단순 자녀 의혹으로만 파악하기는 어려운 상황인데, 특정인 봐주기 없이 검찰 수사 이후 사실이 발견되면 엄정한 징계와 처벌을 할 계획”이라고 말했다.

 

업계에서는 신한금융 경영진들의 향후 거취가 위태로워 질 것으로 관측했다. 

 

한 금융권 관계자는 “이번 금감원의 노력으로 채용비리 정상이 확인된 만큼 남산3억 문제도 재조사에 나서줘야 할 것”이라면서 “학력차별 건에서도 좀 더 적극적인 조사가 필요하다”고 말했다.

 

한편, 금감원은 지난해 12월부터 두 차례 걸쳐 시중은행 채용비리 조사를 진행한 바 있다. 이 중 KEB하나은행, KB국민은행은 4월 검찰 수사에서 남녀 성비를 맞추기 위해 남성에 가산점을 준 성차별 정황이 확인되기도 했다.

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문혜원 기자 maya4you@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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