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3분기 국내은행 순익 4.1兆...전년比 28.1% 증가

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Wednesday, November 14, 2018, 12:11:00

금감원, 국내은행 3분기 영업실적 발표...이자이익 6천억 상승‧대손비용 7천억 감소 등 영향

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 국내은행이 올해 3분기까지 4조 1000억원을 벌어들인 것으로 나타났다. 전년 동기 대비 9000억원이 늘었는데, 이 중 이자이익 증가분이 6000억원을 차지했다.

 

14일 금융감독원이 발표한 ‘국내은행의 2018년 3분기 영업실적’에 따르면, 올해 3분기 국내은행의 당기순이익은 4조 1000억원으로 전년 동기 대비 9000억원(28.1%) 증가했다.

 

이자이익이 증가한 것이 크게 작용했다. 3분기 국내은행의 이자이익은 10조 2000억원으로 지난해 같은 기간보다 6000억원(6.4%) 늘었다. 순이자마진은 작년 3분기 1.66%에서 올해 3분기 1.65%로 소폭 하락했지만, 대출채권 등 운용자산이 증가해 이익이 증가했다.

 

비이자이익은 1조 6000억원으로 전년 동기와 유사한 수준을 나타냈다. 다만, 수수료이익의 경우 수익증권 판매수수료(ELS) 등의 감소로 1000억원가량 줄었다.

 

대손비용이 감소한 것도 당기순이익 증가에 영향을 미쳤다. 3분기 국내은행 대손비용은 8000억원으로 전년 동기(1조 5000억원) 대비 7000억원(44.4%) 감소했다.

 

이와 관련, 금감원 관계자는 “작년 같은 기간 대비 신규 부실이 감소하고 부실채권을 정리한데 기인한다”며 “또한, 금호타이어 매각 및 조선업에 대한 업황 회복 등으로 관련 여신에 대한 대손충당금이 환입된 것도 영향이 있었다”고 말했다.

 

이밖에 영업외손익은 821억원을 기록해 작년 동기 대비 851억원 증가했다. 법인세 비용의 경우 1조 5000억원으로 전년 동기 대비 5000억원 늘었다. 이는 당기순이익이 증가한 가운데 법인세율도 인상됐기 때문으로 풀이된다.

 

한편, 올해 3분기 중 국내은행의 총자산순이익률(ROA)은 0.65%, 자기자본순이익률(ROE)은 8.26%로 나타났다. 전년 동기(ROA 0.54%, ROE 6.73%) 대비 각각 0.11%p, 1.52%p 상승했다.

 

은행별로 보면, 일반은행의 ROA는 0.70%, ROE는 9.28%로 전년 동기(ROA 0.58%, ROE 7.52%) 대비 각각 0.12%p, 1.77%p 올랐다. 특수은행의 ROA는 0.55%, ROE는 6.58%로 전년 동기(ROA 0.46%, ROE 5.48%) 대비 각각 0.09%p, 1.11%p 상승한 것으로 나타났다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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