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올해 가계대출 60.5兆 증가...2015년 이후 최저

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Monday, November 19, 2018, 12:11:00

금융위, ‘가계부채관리점검회의’ 개최...新DTI 등 주담대 규제 강화 영향으로 올해 대출규모 감소

[인더뉴스 정재혁 기자] 국가 경제의 ‘뇌관’으로 지목되는 가계부채가 안정화 추세에 들어선 것으로 나타났다. 올해(1월~10월) 증가 규모는 지난 2015년 이후 같은 기간 최저 수준이었다.

 

新DTI 등 주택담보대출 규제 강화로 주담대 증가세가 크게 감소했기 때문으로 풀이된다. 정부는 향후 9‧13대책과 은행권 DSR 관리지표 시행 효과가 본격화되면, 가계부채 증가세가 더욱 안정화될 것으로 내다봤다.

 

금융위원회(위원장 최종구)는 19일 오전 손병두 금융위 사무처장 주재로 전 금융권을 아우르는 ‘가계부채관리점검회의’를 개최했다. 최근 가계대출 동향과 리스크 요인을 집중점검하고, 정부의 가계부채 관리방안 등에 대한 금융권의 적극적인 협조를 당부했다.

 

손 사무처장은 모두발언에서 “그간 정부는 가계부채 문제에 대응하기 위해 가계부채 증가속도 관리, 가계대출 구조개선 등 금융위험 완화를 위한 대책을 일관성있게 추진해 나가고 있다”고 언급했다.

 

금융위에 따르면, 올해 1월부터 10월까지의 가계대출 증가규모(60조 5000억원)는 지난 2015년 이후 동기간 최저수준인 것으로 나타났다. 2015년 86조 7000억원, 2016년 98조 8000억원, 작년 74조 4000억원에 비해 증가세가 크게 감소했다.

 

이는 올해 1월 시행된 ‘新DTI’ 등 주담대 규제 강화의 영향인 것으로 보인다. 실제로 주담대 증가 규모는 작년(1~10월) 44조 5000억원에서 올해 26조 3000억원으로 18조원가량 줄었다.

 

손 사무처장은 “향후 9‧13 대책, 은행권 DSR 관리지표 시행 효과 등이 본격화되면 가계부채 증가세는 더욱 안정화될 것으로 기대된다”며 “다만, 세부적으로 다양한 위험요인이 도사리고 있어 긴장의 끈을 놓아서는 안 된다”고 말했다.

 

손 사무처장이 언급한 주요 리스크 요인은 ▲신용대출 등 기타대출 증가 ▲개인사업자대출 증가세 ▲취약차주 상환부담 증대 등이다.

 

특히, 국내‧외 경기변동과 대출금리 상승 등으로 금리변동에 취약한 차주가 늘어날 가능성이 높은 것으로 파악됐다. 한국은행의 분석에 따르면, 금리가 100bp(1.0%p) 상승하면 고위험가구가 4만 2000가구 늘고 이들이 보유한 금융부채는 15조 6000억원 증가하는 것으로 나타났다.

 

정부는 중장기적 관점에서 오는 2021년까지 가계부채 증가율을 명목GDP 성장률 수준으로 낮춰갈 방침이다. 우선, 내년 상반기까지 DSR을 전 금융권의 관리지표로 도입해 상환능력 중심의 합리적 여신심사시스템을 구축한다는 계획이다.

 

한편, 최근 은행권 DSR 시범 운영과 관련해 예‧적금담보대출 취급 때 소득증빙 여부가 은행별로 상이한 것이 제도 운영상의 혼선이라는 지적도 나온다. 하지만, 이는 은행 여신심사의 자율성을 최대한 보장하는 DSR 제도 운영의 특성상 자연스러운 현상이라는 게 금융위 측의 입장이다.

 

금융위 관계자는 “예‧적금담보대출, 전세자금담보대출 등 시범운영과 달라진 내용들에 대한 창구직원 교육을 강화해 고객 불편이 발생하지 않도록 각별히 유념해야 한다”며 “또한, 제2금융권은 향후 관리지표 도입에 어려움이 없도록 현재의 시범운영 기간을 내실 있게 운영할 필요가 있다”고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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