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‘1만개 항목·100여개 악조건’...SKT, 5G 단말기 테스트 완료

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Wednesday, December 05, 2018, 09:12:16

5G 디바이스 테스트 랩 개소..앱 수십 개 켜고 영상통화·지하도서 ’먹통 안되기‘ 등

인더뉴스 주동일 기자ㅣ SK텔레콤이 자사의 5G 단말기 성능 테스트 내용을 공개했다.

 

SK텔레콤(대표이사 사장 박정호)은 ’5G 디바이스 테스트 랩(Device Test Lab)‘을 성남 분당사옥에 개소했다고 지난 4일 밝혔다. 5G 디바이스 테스트 랩은 5G 단말기 성능을 테스트하기 위한 '최종 관문'이다.

 

5G 디바이스 테스트 랩은 300㎡ 규모로 계측장비·실험실·회의실 등을 갖추고 전문인력이 상주하며 품질검증을 하는 테스트 베드다. 실험실 안에는 5G 기지국, 중계기, 전파를 테스트할 수 있는 계측기, 전자파 측정 기기 등이 있다.

 

또 25cm두께 강판으로 된 전파 차폐벽으로 둘러싸 외부 주파수 신호를 완벽히 차단했다. 이로써 실험실에서 보다 정확한 테스트를 할 수 있다.

 

SK텔레콤과 단말 제조사는 5G 단말기를 출시하기까지 주파수 적합성·인터페이스 검증 등 약 1만 가지 항목을 테스트한다. 각 항목별로는 최대 5회 이상 반복 실험한다.

 

SK텔레콤 연구원들은 6GHz 이하 대역에서 초광대역인 mmWave 주파수(6GHz 이상 대역의 주파수) 대역까지 RF테스트·프로토콜 시험 등을 통해 주파수 적합성과 성능을 검증한다. RF는 Radio Frequency의 약자로 무선 주파수를 방사해 정보를 교환하는 통신 방법을 말한다.

 

5G망 연동성 검증이 끝나면 전파 도달이 약한 가상 환경을 만들어 100여 가지 시나리오별 테스트를 한다. 5G 기지국과 먼 곳에서 앱 수십 개를 동시에 실행하면서 영상통화를 하는 식이다. 모든 시험을 통과하면 산 주변·지하도 등에서 5G 스마트폰이 ’먹통‘이 되는지 측정한다.

 

SK텔레콤은 5G 생태계 확장을 앞당기기 위해 중소 단말제조업체에게 무료로 테스트 장비를 활용할 수 있도록 지원할 계획이다. 스마트폰뿐 아니라 산업용 단말·웨어러블 단말·IoT 단말 등 5G용 디바이스나 모듈을 만드는 기업이면 누구나 이용 가능하다.

 

혁신적인 디바이스를 개발했지만 5G 계측 장비들이 대부분 고가여서 테스트 검증·운영 등에 어려움을 겪고 있는 중소·벤처기업이 많은 것이 현실. SK텔레콤은 5G 디바이스 테스트 랩이 이들에게 도움이 될 것으로 기대했다.

 

SK텔레콤 관계자는 “스마트폰뿐 아니라 차량용 텔레매틱스·IoT 디바이스·산업용 동글(네트워크 중계장치) 등 다양한 5G 단말기들이 증가하고 있다”며 “까다로운 테스트를 거쳐 최고 통신 품질을 확보하기 위해 테스트 랩을 신설했다”고 말했다.

 

박종관 SK텔레콤 네트워크기술원장은 “5G 디바이스 테스트 랩을 오픈하면서 대기업부터 중소·벤처기업까지 많은 제조사들이 혁신적인 디바이스를 내놓을 수 있게 돼 5G 생태계 확장에 큰 역할을 할 것으로 기대한다”고 했다.

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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