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삼성SDI, ‘2019 디트로이트 모터쇼’서 차세대 배터리 기술 공개

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Monday, January 14, 2019, 11:01:08

14일 美 디트로이트 코보센터에서 개막..배터리 셀·전고체 전지 로드맵 등 전시

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 삼성SDI가 차세대 배터리 기술을 공개했다. 

 

삼성SDI는 14일(현지시간) 미국 디트로이트 코보센터에서 열리는 ‘2019 디트로이트 모터쇼(NAIAS 2019)’에서 혁신 소재와 차별화된 디자인을 적용한 차세대 배터리 셀을 전시했다. 또 ‘전고체전지 기술 로드맵’을 제시하며 기술 차별화에 나섰다. 

 

삼성SDI의 이번 모터쇼 전시 콘셉트는 ‘Charged for Auto 2.0’으로 ‘Auto 2.0시대를 위한 충전 완료’라는 뜻이다. Auto 2.0이란 자율주행·전동화·초연결성·차량 공유화가 일상적인 시대를 말한다. 지난 2017년 골드만삭스가 처음 사용한 용어다. 

 

전시는 ▲EV(전기자동차, Future Mobility Platform) ▲PHEV(플러그인하이브리드, 전동차의 Mass & Prestige화) ▲LVS(저전압시스템, 내연기관을 위한 효율성 제고)라는 세 가지 스토리로 구성됐다.

 

 

삼성SDI는 600km 주행이 가능한 배터리 셀과 37Ah에서 78Ah까지 EV와 PHEV에 적용할 수 있는 다양한 세대별 배터리 셀 라인업 등 기술 차별화에 나섰다. 

 

자동차 업계는 전기차 대중화를 위해 에너지 밀도 증가를 이용한 주행거리 향상과 전기자동차 가격 인하를 고민하고 있다. 삼성SDI는 “이번에 공개한 신제품들은 차량당 셀 숫자를 줄여 에너지 용량을 늘리고 차량 원가 혁신에도 큰 도움을 줄 것“이라 말했다.

 

이밖에 삼성SDI는 차세대 배터리로 전고체 전지 기술 로드맵을 소개했다. 전고체 전지는 양극·음극·전해질·분리막 등 배터리 4대 핵심소재 중 전해질이 액체가 아닌 고체로 된 차세대 전지다. 현재 주로 쓰이는 리튬이온 전지보다 안전하며 사용시간이 길다.

 

전영현 삼성SDI  사장은 “전동화·자율주행·초연결성 등 개념을 바탕으로 배터리가 자동차 패러다임 중심에 서게 됐다”며 “다양한 차별화 기술과 지속적인 혁신을 통해 Auto 2.0 시대를 앞당기고 시장을 선도해 나가겠다”고 말했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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