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“정부지원 있으면 2035년 의약품 수출 100조 달성 가능”

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Thursday, January 17, 2019, 15:01:08

원희목 한국제약바이오협회 회장..17일 신년 기자 간담회서 제약산업 비전 발표
정부차원의 ‘국가주력산업 선언’ 강조..“제약산업 4차 산업혁명의 성장동력 될 것”

인더뉴스 김진희 기자ㅣ 원희목 한국제약바이오협회 회장이 신년 기자간담회를 열고, 제약산업이 4차 산업혁명 시대의 신성장동력이 될 것이라고 강조했다. 

 

원희목 한국제약바이오협회(이하 협회) 회장은 17일 서울 서초구 방배동 협회에서 ‘제약산업, 대한민국의 미래다’는 주제로 신년 기자 간담회를 진행했다. 

 

원희목 회장은 “제약산업은 지난 1999년부터 작년까지 총 30개의 신약을 개발해내는 등 그 잠재력을 입증해 왔다”며 “제약산업이 1400조 세계 글로벌 시장에서 대대적인 성과를 낼 수 있도록 정부 차원의 국가주력산업 선언이 필요하다”고 강조했다. 

 

이와 함께 “제약산업계의 지속적인 R&D 투자와 오픈 이노베이션, 국산 의약품의 글로벌 진출을 돕는 환경이 뒷받침 된다면, ▲2025년 글로벌 매출 1조 국산 신약 탄생 ▲2030년 10조 매출 국내 제약회사 출현 ▲2035년 의약품 수출 100조 달성이 순차적으로 가능할 것”이라고 전망했다. 

 

지난해 정부는 미래형 신산업 중 하나로 제약산업 지원을 100대 국정과제로 선정했다.  

 

하지만, 실제 제약산업계의 R&D투자 대비 지원은 8%에 불과했다는 게 협회측의 지적이다. 업계가 체감하는 정부 지원은 미미한 수준이라는 것이다. 미국과 일본의 경우 정부지원을 받는 비율이 각각 37%와 19%라는 점도 국내 사정과 대조된다. 

 

이에 협회는 제약업계가 새로운 국가 성장동력이 되도록 ‘민·관협치 파트너’ 역할에 주력할 것이라고 발표했다. 특히 올해는 ▲신약 개발의 효율성 제고 ▲글로벌 시장 진출 확대 ▲일자리 창출 ▲제약업에 대한 국민 신뢰 제고 등을 위해 노력한다는 계획이다.

 

작년부터 이어오는 인공지능(AI) 신약개발 지원센터 설립도 본격화 될 전망이다. 원 회장에 따르면 보건복지부와는 관련 논의 중이며, 한국보건산업진흥원과 함께 별도 법인을 설립해 진행한다는 계획이다. 

 

또한 산·학·연·병·정 글로벌 진출협의체를 가동해 우수한 국내 바이오의약품과 국산·개량신약, 제네릭의 세계시장 진출을 돕겠다고 발표했다. 작은 내수시장서 중·소·중견 제약사들의 공생이 어려우므로, 정부간 채널(G2G)을 통해 해외 활로를 모색해야 한다는 설명이다.

 

협회는 해외 현지화 전략을 통해 독립국가연합(CIS)·유라시아·아세안 시장 진출에 속도를 내고, G2G 수출지원, 비관세장벽 완화, 우호적 현지투자환경 조성에도 힘쓸 계획이다.

 

또한 제약·바이오산업 채용박람회를 정례화하고, 정규직 중심의 청년 고용을 확대하는 등 제약바이오 산업의 일자리 창출 역량도 극대화 할 예정이다.

 

원 회장은 "1970년대 반도체산업이 그랬듯, 제약산업이 4차 산업혁명 시대를 이끌 새로운 성장동력”이라며 “정부차원의 국가주력사업 선언이 뒷받침 되길 바란다”고 말했다.

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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