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우리은행, 작년 순익 2조 192억...전년比 33.5% 증가

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Monday, February 11, 2019, 15:02:07

이자이익 4300억원 증가..비이자이익, 유가증권·대출채권평가 등에서 2060억원 감소

[인더뉴스 정재혁 기자] 우리은행의 지난해 당기순이익이 30% 이상 급증했다. 이자이익이 4000억원 이상 증가한 것이 컸다.

 

우리은행(은행장 손태승)은 11일 실적발표를 통해 2018년 연간 당기순이익(연결) 2조 192억원을 달성했다고 밝혔다. 이는 전년말(1조 5120억원)에 비해 5070억원(33.5%) 증가한 것으로, 경상기준 사상 최대 규모의 순이익이다.

 

이자이익은 5조 6510억원으로 전년말(5조 2210억원) 대비 4300억원(8.2%) 증가했다. 우량 중소기업 위주의 자산 성장, 핵심 저비용성 예금의 증가가 크게 작용했다는 분석이다.

 

실제로 중소기업 대출은 8조 1303억원으로 전년(7조 6339억원) 대비 4964억원(6.5%) 늘었다. 핵심 저비용성 예금은 7조 5075억원을 기록해 전년(7조 877억원)보다 4198억원(5.9%) 증가했다.

 

 

비이자이익은 1조 460억원으로 전년(1조 2520억원)에 비해 2060억원(16.5%) 감소했다. 수수료이익이 1조 1210억원을 기록해 전년(1조 700억원)보다 510억원(4.8%) 늘었지만, 유가증권과 대출채권평가·매매 등에서 각각 980억원·1160억원의 손실을 봤다.

 

또한, 글로벌 부문 실적은 전년에 비해 19.7% 증가한 2000억원 수준의 순익을 시현한 것으로 나타났다. 이와 관련, 우리은행 관계자는 “글로벌 20위권 수준인 26개국 441개의 네트워크를 구축한 결과”라며 “국내 중심의 영업구조에서 벗어나 글로벌 부문의 지속적인 성장이 기대된다”고 말했다.

 

자산건전성 지표는 고정이하여신(NPL) 비율이 역대 최저 수준인 0.51%를 기록(2017년 0.83%)했다. 연체율도 0.31%로 나타나 전년(0.34%)에 비해 0.03%p 개선됐다. 단, 요주의여신비율의 경우 고정이하여신비율 감소 영향으로 증가하는 모습을 보였다.

 

우리은행 관계자는 “4분기 중 명예퇴직, 보수적 충당금 적립 등 일회성 비용이 있었음에도, 사상 최대 실적을 기록했다”며 “이는 손태승 은행장 취임 이후 일관성 있게 추진해 온 자산관리, 글로벌부문, CIB 등으로의 수익원 확대 전략과 철저한 자산건전성 관리 노력의 결과”라고 말했다.

 

이어 “올해 은행의 수익성과 건전성 관리는 더욱 공고히 하는 한편, 우리금융지주 출범에 따라 비은행부문 사업포트폴리오를 적극 확대해 2~3년 내 1등 금융그룹으로 도약할 것”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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