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신한금융, 리딩뱅크 탈환..조용병 회장 ‘One Shinhan’ 전략 통했다

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Tuesday, February 12, 2019, 17:02:20

작년 순익 3조 1567억원으로 전년比 8.2% 증가..KB금융에 878억원 앞서
비은행 부문 순익 상승해 그룹 실적 기여..글로벌·자본시장 이익 기여도 ↑

 

[인더뉴스 정재혁 기자] 신한금융그룹이 지난해 창립 이후 최대 순이익을 달성하면서 KB금융그룹에 빼앗겼던 ‘리딩뱅크’ 지위를 1년만에 탈환했다. 그룹 계열사 간 협업 체계를 의미하는 ‘One Shinhan’ 전략을 통해 수수료 중심의 비이자이익을 개선한 것이 주효했다는 평이다.

 

신한금융지주(회장 조용병)는 12일 실적 발표를 통해 그룹의 작년 순이익이 3조 1567억원이라고 밝혔다. 이는 2017년(2조 9179억원) 대비 8.2% 증가한 실적이며 2011년 그룹 최대 실적(3조 1000억원)을 뛰어넘는 성과다. 4분기 실적은 5133억원으로 전년 동기(2133억원) 대비 143% 상승했다.

 

신한금융과 리딩뱅크 자리를 놓고 다투고 있는 KB금융그룹(회장 윤종규)의 작년 당기순이익은 3조 689억원으로 나타났다. 신한금융이 878억원 앞서면서 리딩뱅크 자리를 1년만에 되찾아 왔다.

 

신한금융 관계자는 2018년 실적에 대해 “이번 실적의 주요 특징은 ‘One Shinhan’ 협업 체계를 통해 신한만의 차별성을 재확인 한 것”이라고 강조했다. 은행과 더불어 금융투자, 생명, 캐피탈 등 비은행 부문의 실적이 약진해 그룹 차원의 경상 이익 창출 능력이 향상됐다는 것이다.

 

실제로 지난해 비은행 부문 당기순이익은 1조 507억원으로, 전년도 경상기준(일회성 손익 4670억원 제외) 순이익 9040억원에 비해 1467억원(16.2%) 증가했다. 특히, 신한금융투자(2513억원)와 신한생명(1310억원)의 순익이 각각 전년 대비 8.6%·17.5% 상승해 그룹 실적 향상에 기여했다.

 

또한, 글로벌·자본시장 이익의 기여도도 확대된 것으로 나타났다. 은행 글로벌 사업의 경우 순이익 3215억원을 기록해 전년보다 865억원(36.8%) 증가했다. 이와 관련, 신한금융 관계자는 “그룹 글로벌 매트릭스 조직을 기반으로 아시아 핵심시장에서 수익력 강화를 중점 추진한 결과”라고 말했다.

 

자본시장 부문의 경우 GIB(글로벌투자금융)와 PWM(개인자산관리) 부문의 영업이익이 전년에 비해 각각 1761억원(58.1%)·429억원(10.0%) 성장했다. 신한금융 측은 올해에도 오렌지라이프, 아시아신탁 등 신규 사업라인과 협업시스템을 강화할 방침이다.

 

한편, 그룹 내 최대 계열사인 신한은행은 작년 당기순익 2조 2790억원을 기록해 전년(1조 7120억원) 대비 5670억원(33.2%) 증가했다. 4분기 순익은 일회성 희망퇴직 비용으로 인해 전분기 대비 43.8% 감소한 3626억원을 기록했다.

 

다만, 신한카드는 당기순이익 5194억원을 기록해 전년 대비 43.2% 급감했다. 카드수수료 인하 등 대내외적 환경 요인으로 실적 향상에 어려움을 겪었다. 이밖에 신한BNP파리바자산운용과 신한저축은행의 당기순이익은 각각 123억원·194억원으로 나타났다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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