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신한은행, 지난해 하반기 기술금융 평가 1위

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Tuesday, April 16, 2019, 16:04:15

금융위, 은행권 기술금융 실적평가 결과 발표..대형은행 그룹 중 1위·국민은행이 2위 기록
소형은행 그룹선 대구은행 1위·경남은행 2위..부산·대구은행 각각 자체기술금융 레벨 상승

[인더뉴스 정재혁 기자] 신한은행이 지난해 하반기 은행권 기술금융 실적평가에서 대형은행 그룹 1위를 차지했다. 소형은행 그룹에서는 대구은행이 1위에 올랐다.

 

금융위원회(위원장 최종구)는 지난해 하반기 은행권 기술금융 실적평가(TECH 평가) 결과, 대형은행 그룹에서 신한은행 1위, 국민은행이 2위를 기록했다고 16일 밝혔다. 소형은행 그룹에서는 대구은행과 경남은행이 각각 1위와 2위를 차지했다.

 

기술금융은 부동산 등 우량 담보는 없지만, 기술력을 갖춘 중소기업에게 이 기술력을 담보로 대출을 해주는 제도를 말한다.

 

금융위는 ▲대출 공급 규모 ▲질적 구성(기술기업 지원 항목) ▲기술기반 투자확대 등을 정량적으로 평가(80점)하고, 기술금융의 은행별 내재화 정도(지원역량 항목)를 정성적으로 평가(20점)해 순위를 매겼다.

 

 

신한은행은 100점 만점에 75.4점을 기록해 대형은행 그룹 중 1위를 차지했다. 국민은행은 68.9점으로 2위였다. 소형은행 그룹에선 대구은행이 75.1점으로 1위, 경남은행이 67.9점으로 2위에 올랐다.

 

신한은행의 경우 3년만에 종합평가 1위에 등극했다. 높은 배점이 부여된 ‘대출의 질적구성 평가’에서 큰 격차로 타 은행을 앞섰고, 기술기반 투자 등 타 분야도 전반적으로 우수했다. 국민은행도 지난 2015년 상반기 이후 처음으로 종합평가 2위 내에 진입했다.

 

소형은행 중 대구은행은 공급규모와 기술금융 지원역량 항목에서 1위를 기록하면서 종합평가에서 1위에 올랐다. 종합평가 2위인 경남은행은 기술기반 투자확대 분야에서 1위를 기록하는 등 전 분야에서 전반적으로 양호한 성적을 거뒀다.

 

은행 자체 기술금융 레벨(레벨 1~레벨 4) 심사에서는 부산은행과 대구은행이 각각 ‘레벨 4’와 ‘레벨 2’로 상승했다. 이러한 자체 TCB 평가 레벨이 높아질수록 자체 평가에 기반한 기술신용대출 가능 금액이 증가한다.

 

현재 레벨 4인 은행은 이번에 상승한 부산은행을 비롯해 국민, 신한, 우리, KEB하나, 기업, 산업은행 등이다. 경남은행은 레벨 3을 유지했으며 대구은행은 이번에 레벨 2로 상향됐다. 농협은행은 레벨 1에 머물렀다.

 

금융위는 올해 상반기부터 평가 세부지표 등을 정비할 계획이다. 신용대출비중·증가율의 배점을 15점에서 20점으로 높이고, 창업기업 지원 실적 평가도 강화한다.

 

국가 R&D 연계 사업에 대한 자금 지원 실적 평가를 신설(5점)하고, IP담보대출 실적도 독립지표로 평가(3점)한다. 은행 자체 TCB 평가의 활용범위를 확대해, 기존에는 대출만 평가했지만 다음 평가부터는 투자까지 평가 항목에 포함된다.

 

한편, 금융위는 은행권이 내년 도입을 목표로 하는 ‘기술-신용평가 일원화(통합여신모형)’를 지원하기 위해 여신용 기술평가 모형과 기존 신용평가 모형의 결합효과, 부도 변별력 개선 효과 등을 지속 검증할 예정이다.

 

이와 관련, 금융위 관계자는 “오는 하반기 중으로 신용정보원이 은행권의 통합여신모형 개발·적용을 위한 가이드라인을 마련해 보급할 계획”이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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