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삼성, 인텔에 반도체 매출 밀려...화웨이 하이실리콘은 약진

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Friday, May 17, 2019, 14:05:49

1분기 반도체 매출 34% 감소..메모리 반도체 침체가 원인
5G 개화 본격화로 하이실리콘 매출 41% 증가..14위 기록

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ 지난해 1분기 전 세계 반도체 시장 매출 기준 1위를 점유했던 삼성전자가 올해 1분기에는 인텔에 밀려 2위를 차지한 것으로 나타났다. 반도체 시장 전반이 침체를 겪으면서 매출이 감소했지만 5G와 이미지센서 등 ‘알짜’ 경쟁력을 갖춘 업체들은 약진을 보였다.

 

17일 시장조사기관 IC 인사이츠의 올해 1분기 매출 상위 15개 반도체 기업 조사에 따르면 삼성전자는 인텔에 이어 2위를 기록했다. 삼성전자는 2017년과 지난해 연간 조사에서 1위를 차지했지만, 지난해 4분기에 2위로 밀려난 후 2분기 연속으로 인텔에 선두를 내놨다.

 

조사에 따르면 올해 1분기 삼성전자 반도체 매출은 128억 6700만 달러로 지난해 1분기(184억 9100만 달러)에서 34% 줄었다. 상위 15개 업체 중 가장 큰 감소세다. 반면 올해 1분기 인텔은 매출 157억 9900만 달러로 지난해 수준을 유지했다.

 

 

IC 인사이츠는 “지난해부터 D램과 낸드 플래시 등 메모리 반도체 시장이 침체되면서 인텔과 삼성전자의 명암이 엇갈렸다”고 말했다. 실제로 메모리 반도체가 주력인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 올해 1분기 25%가 넘는 매출 감소를 겪었다.

 

세계 반도체 매출도 부진했다. 상위 15개 업체 총 매출은 지난해 1분기(878억 2000만 달러)에서 16% 감소해 올해 1분기 735억 4800만 달러를 기록했다. 또한 지난해에는 매출 20억 달러 이상인 기업이 14개였던 반면, 올해는 13개로 줄었다.

 

국가별로는 미국 기업이 6곳, 유럽 기업 3곳, 한국과 일본 기업은 각각 2곳, 대만과 중국 기업이 각각 1곳 포함됐다. 

 

특히 중국 하이실리콘과 일본 소니는 전체 시장 매출 저하에도 각각 41%, 14%의 성장률을 보이며 15위권에 새로 진입했다. 하이실리콘은 지난해 1분기보다 매출이 41% 증가해 11계단을 올라 14위를 기록했다. 

 

하이실리콘은 2004년 설립된 팹리스 업체로 화웨이가 지분 전체를 보유한 자회사다. 화웨이는 5G 개화에 힘입어 올해 1분기 368억 달러에 달하는 매출을 기록했다. 지난해보다 39% 늘었다. 5G 네트워크를 구축하는 국가들이 늘어남에 따라 하이실리콘 역시 성장세를 이어갈 전망이다.

 

지난해 19위에서 올해 15위로 올라선 소니는 주력 제품군인 이미지센서 판매 호조 덕을 봤다. 이미지센서 시장 점유율 51.17%로 1위를 기록한 소니는 최근 스마트폰 멀티 카메라 채용 등 수요가 늘면서 매출이 14% 증가했다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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