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이주열, 금리인하 가능성 시사...“경제 상황 변화에 적절히 대응”

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Wednesday, June 12, 2019, 11:06:25

한은 창립 기념사 “불확실성 높아진 대외요인 전개 추이와 영향 면밀히 점검”
무역분쟁·반도체 부진 등에 경기 둔화 우려..금리인하 가능성 열어둔 것으로 풀이

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ 이주열 한국은행 총재가 통화정책의 방향전환을 시사했다. 금리인하를 직접 언급한 것은 아니지만 앞으로 경제상황 변화에 따라 실행에 나설 수 있다는 가능성을 열어둔 것이다.  

 

이 총재는 12일 한국은행 창립 제69주년 기념사를 통해 "최근 미·중 무역분쟁, 반도체 경기 등 대외 요인의 불확실성이 크게 높아진 만큼 그 전개추이와 영향을 면밀히 점검하겠다"고 밝혔다.

 

이어 "대내외 여건 변화에 따른 시나리오별 정책운용 전략을 수립해 적기에 대응할 수 있도록 준비해야 할 것"이라고 강조했다.  

 

그러면서 "안정적인 성장세가 이어지고 중기적 시계에서 물가상승률이 목표수준에 수렴할 수 있도록 하는 한편 금융안정에 유의해 운용해 나가겠다"며 "가계부채, 자본유출입 등 금융안정 리스크 요인도 함께 고려하겠다"고 덧붙였다. 

 

이 총재는 그동안 금리인하 가능성에 명확히 선을 그어왔다. 지난달 31일 열린 5월 금융통화위원회에서 조동철 금통위원의 인하 소수의견이 등장했을 때만 해도 이 총재는 "소수의견 일 뿐 시그널은 아니다"라며 "지금은 기준금리 인하로 대응할 상황이 아니다"고 말했다.  

 

그러나 대내외 불확실성 등으로 경기 둔화 우려가 높아지고 있어 경제상황 변화에 따라 금리인하도 고려할 수 있다는 쪽으로 입장이 바뀐 것으로 풀이된다.

 

대내외 경제전망에 대해서도 한층 부정적으로 언급했다. 그는 "올해 들어 우리 경제는 수출과 투자가 감소한 가운데 소비 증가세가 둔화되면서 성장세가 주춤한 모습"이라며 "앞으로 정부지출이 확대되고 수출, 투자 부진이 완화될 것으로 예상되지만 성장경로의 불확실성은 한층 커졌다"고 했다. 

 

또 대외환경에 대해서는 "미·중 무역분쟁이 심화되면서 세계교역이 위축될 가능성이 높아졌다"며 "특정산업 중심의 수출에 크게 의존하고 있는 우리 경제로서는 이같은 불확실성 요인이 어떻게 전개되는지에 성장이 영향을 받을 수밖에 없다"고 평가했다. 

 

금융·외환시장 안정에도 각별히 유의해야 한다고 밝혔다. 그는 "최근 세계경제 성장에 대한 우려가 증대되면서 국내외 금융시장을 면밀히 점검하고 필요시에는 시장안정을 위한 대책을 적극 시행해야 할 것"이라며 "우리 경제의 성장을 제약하는 구조적 요인들이 상존하고 있는 만큼 성장잠재력 제고를 위해 구조개혁에도 힘써야 한다"고 언급했다.  

 

하반기 한은이 역점을 두고 추진할 사항으로는 ▲효율적인 커뮤니케이션 수행 ▲저물가·저금리 환경 속 통화정책 체계 개선 ▲금융·외환시장 안정 유의 ▲지급결제 환경 변화 대처 등을 제시했다.

 

물가가 목표보다 낮은 수준에 머물러 있는 만큼 물가안정목표 운영상황을 정기적으로 점검하고 경제 주체에 충분히 설명하겠다고 강조했다. 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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