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보험개발원 ”추석연휴 음주·무면허운전 절대금지”

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Tuesday, September 26, 2017, 12:09:05

추석 연휴 중 평소 대비 사상자 각각 8%·22% 증가.. ”음주운전자에 한해 시동잠금장치 부착 고려”

[인더뉴스 박한나 기자] 추석연휴 기간 음주운전과 무면허 운전 사고 사상자가 평소보다 증가하는 것으로 조사됐다. 대형사고로 이어질 위험이 커 운전자 스스로 주의가 필요하다는 지적이다.

보험개발원(원장 성대규)과 손해보험협회(회장 장남식)는 최근 3년(2014~2016년)간 음주·무면허 운전 사고 피해자 추석 연휴기간 발생 현황을 분석한 결과를 26일 발표했다. 

분석 결과에 따르면 추석연휴 기간 음주운전 사상자는 일평균 88명으로 평소보다 7.9%, 무면허운전 사상자는 일평균 13명으로 평소 대비 22.1% 증가했다. 추석 연휴기간은 추석 연휴 전날, 추석, 연휴 법정공휴일 3일, 추석 연휴 다음날을 의미한다. 

이번 추석연휴는 10월 2일 임시공휴일 지정으로 오는 30일부터 내달 9일까지 최장 10일을 쉴 수 있다. 귀성·귀경, 성묘 등 기존의 명절 차량이동 뿐만 아니라 장거리 여행으로 인한 차량운행이 크게 증가하고 이로 인한 자동차사고도 함께 증가할 것으로 예상된다.

보험개발원 관계자는 “명절 연휴기간에는 다소 느슨한 법규준수 의식으로 음주·무면허로 인한 교통사고가 많이 발생한다”며 “이는 대형사고로 이어질 가능성이 높으므로 운전자 스스로 교통법규를 준수하려는 노력이 요구된다”고 말했다. 

이어 “음주운전 방지를 위해 음주운전 전력이 있는 자에 한해 ‘음주운전 시동잠금장치(IID, Ignition Interlocking Device)’ 부착을 의무화하는 방안도 검토할 필요가 있다”며 “미국의 경우 모든 주에서 음주운전자에 대한 징벌적 차원에서 IID설치가 의무화 됐고, 음주운전 사망자 수도 크게 감소했다”고 말했다.

이밖에 졸음운전으로 인한 앞차와의 추돌사고도 연휴 기간 주의해야 할 사고 유형이다. 최근 3년간 자동차 추돌로 인한 사고건수는 연평균 87만 5000건(21.1%)로 가장 많이 발생했다. 

졸음운전 예방을 위해서는 충분한 휴식이 필수다. 최근에는 자동비상제동장치(AEB)나 차선이탈방지장치(LKAS) 등 자율주행기술을 통해 대형사고 등의 예방이 가능해졌다.  보험개발원 관계자는 “향후 첨단안전장치의 성능향상 및 보급확대 때 자동차사고로 인한 사회적 비용 감소효과가 클 것으로 예상한다”고 말했다.

한편, 손해보험 업계는 추석 연휴 기간 중 타어어 공기압 측정, 각종 오일류 점검 등 차량 무상점검 서비스를 제공한다. 또한, ‘긴급출동서비스’ 특약에 가입한 가입자는 운행 중 타이어 펑크, 잠금장치 해제, 긴급견인 등의 상황이 발생할 경우 가입한 손보사의 긴급출동서비스를 이용할 수 있다. 

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박한나 기자 monster127@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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