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하나금융노조, 김정태 회장 등 금감원 제재 요청

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Thursday, November 09, 2017, 14:11:53

정유라 특혜 대출·이상화 특혜 승진 관련 은행법 위반 주장..함 행장 국감 의증 의혹 제기

[인더뉴스 정재혁 기자] 하나금융노조가 김정태 하나금융지주 회장과 함영주 KEB하나은행장을 은행법 위반으로 금감원에 재제 요청했다. 정유라에 대한 특혜 대출과 이상화 전 본부장에 대한 특혜 승진 등에 두 사람이 개입돼 있다는 주장이다.


하나금융지주 적폐청산 공동투쟁본부(이하 투쟁본부)9일 오전 금융감독원 앞에서 기자회견을 열고, “김정태 하나금융지주 회장과 함영주 KEB하나은행장이 현행 은행법을 위반했다며 금감원에 제재를 요청했다.

 

투쟁본부는 김정태 회장과 함영주 행장이 최순실의 딸인 정유라에 대한 특혜 대출을 제공하고, 이를 알선한 최순실 금고지기이상화 전 본부장을 특혜 승진시켰다고 주장했다.

 

투쟁본부는 김정태 회장은 하나금융지주의 KEB하나은행에 대한 영향력을 이용해 KEB하나은행이 은행법을 위반하게 만들었다며 이는 금융기관 검사 및 제재에 관한 규정에 따른 감독상 제재조치의 대상이라고 설명했다.

 

투쟁본부에 따르면, 이상화가 하나은행 독일법인에 재직할 당시 정유라는 독일 내 주택을 취득하는 과정에서 최순실 명의의 예금과 임야를 담보로 386600유로(48000만원)를 연 0.98% 저금리로 대출받았다. 투쟁본부는 이 과정에서 은행 측이 필요서류 확인 등의 의무를 이행하지 않는 등 직무유기가 있었다고 보고 있다.

 

이상화 전 본부장의 승진 과정 또한 김정태 회장의 입김이 작용한 것으로 파악했다. 은행 측이 이례적으로 정기인사가 끝난 이후에 본부장으로 승진시킨 점, 글로법 영업본부를 2개 본부로 쪼개 본부장에 앉힌 점, 독일 프랑크푸르트에 유럽통합본부 설치 외압이 들어오자 수 년 전부터 준비해 온 룩셈부르크 유럽통합본부 설치를 무산시킨 점 등을 지적했다.

 

투쟁본부 관계자는 이상화 특혜 인사와 관련해 안종범 전 수석과 정찬우 전 금융위 부위원장도 청와대의 압력이 있었다고 인정했다또한, 이상화 본인도 최순실의 도움이 있었던 것으로 안다고 시인한 상황이라고 말했다.

 

아울러 이 사건과 관련해 함영주 행장이 위증을 하고 있다는 의혹도 제기했다. 김정태 회장이 이미 이상화 전 본부장 승진에 대해 외압이 들어왔음을 인정했음에도, 함영주 행장이 지난 정무위원회 국정감사에서 모두 본인이 지시한 일이라며 거짓말을 했다는 것이다.

 

투쟁본부 관계자는 김정태 회장과 함영주 은행장은 금융기관의 장으로서 그 업무를 집행하는 과정에서 준수해야 하는 사회적 책무가 막중함에도 사적인 이득을 위해 정권과 결탁해 사회에 큰 물의를 일으켰다향후 이러한 일이 재발하지 않도록 명확한 제재를 통해 관리와 감독을 해야 할 것이라고 말했다.

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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