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신동빈 회장, 이스라엘 방문...AI 등 첨단산업 분야 교류 확대

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Friday, August 09, 2019, 10:08:08

이스라엘 경제산업부 장관 등 면담..글로벌 스타트업·벤처캐피탈 등 방문

인더뉴스 권지영 기자ㅣ신동빈 롯데 회장이 그룹의 미래 성장동력 발굴을 위해 이스라엘을 방문한다. 이스라엘은 스타트업 강국이자 세계 최고의 혁신국가로 불린다. 신 회장은 오는 11일 이스라엘 경제산업부 장관과 면담을 진행하며, 현지 정·재계 관계자들과도 만난다.

 

이번 출장에는 이진성 롯데 미래전략연구소장을 비롯해 롯데의 스타트업 투자법인 롯데 엑셀러레이터, 롯데정보통신 임원들이 동행한다.

 

이스라엘은 국가적 차원에서 스타트업과 하이테크 산업을 성장동력으로 육성해 왔다. 적은 인구와 군사적 긴장상황이라는 조건 속에서 글로벌 상위권의 과학·기술 경쟁력을 갖춘 스타트업 강국으로 평가받고 있다.

 

이스라엘의 스타트업은 하이테크 기술 기반 중심으로, 현재 나스닥에 미국과 중국 다음으로 많은 기업이 상장돼 있다. 이스라엘 스타트업에 대한 글로벌 벤처캐피탈과 글로벌 IT기업들의 관심과 투자도 점차 확대되고 있다.

 

롯데 역시 첨단 기술을 보유한 이스라엘 스타트업에 오래 전부터 관심을 가져온 것으로 알려졌다. 특히 유통부문에서 옴니채널 구축과 이커머스 경쟁력 강화를 추진해 왔다. 롯데는 인공지능, 빅데이터, 물류 풀필먼트 등에 주목하고 있으며, 이번 방문에서도 해당 분야의 관계자들과 협력 방안을 논의할 것으로 예상된다.

 

신 회장은 11일 엘리 코헨(Eli Cohen)이스라엘 경제산업부 장관을 만날 예정이다. 이스라엘 정부의 창업과 기술혁신 지원 시스템과 우수 스타트업에 대한 소개, 롯데의 스타트업 투자사례 등이 공유될 예정이다.

 

향후 장기적인 상호 협력 방안에 대해서도 논의될 전망이다. 12일에는 아디브 바루크(Adib Barcuh)이스라엘 수출공사 사장을 만난다. 이어 신 회장은 농업기술업체 ‘테블(TeVEL)’, 이스라엘 최대 식품사 스트라우스(Strauss)의 푸드테크 인큐베이터 ‘더 키친(the Kitchen)’, 이스라엘 최고 수준의 투자회사 ‘피탕고(Pitango) 벤처캐피탈’, 세계 5대 기초과학연구소인 ‘와이즈만 연구소’, 코카콜라의 스타트업 지원 프로그램 ‘더 브릿지(The Bridge)’ 등 이스라엘의 대표적인 스타트업과 신기술 업체, 연구소 등을 잇달아 방문한다.

 

이스라엘의 혁신 우수사례에서 추후 롯데와 시너지 창출과 벤치마킹 방안을 모색해 나갈 것으로 예상된다.

 

한편, 롯데는 4차 산업혁명 시대를 대비하고, 지속 가능한 미래 성장을 위해 오래전부터 그룹 차원의 신기술 도입과 스타트업과의 오픈 이노베이션에 관심을 보여 왔다. 지난 2015년 8월엔 신동빈 회장이 롯데 미래전략연구소에 미국의 ‘와이콤비네이터’와 같은 창업보육기업을 구상해달라고 직접 주문했다.

 

2016년 1월 스타트업 투자와 보육법인 롯데액셀러레이터가 설립됐다. 롯데액셀러레이터는 2017년 10월 신기술사업금융전문회사로 등록돼 스타트업 육성과 투자에 적극 나서고 있다. 롯데는 롯데엑셀러레이터를 통해 스타트업에 실질적인 도움이 되는 지원과 투자를 확대해 국내 창업 생태계 조성에 노력하고, 우수 스타트업과 협업을 통해 롯데의 신성장동력을 발굴하기 위해 노력하고 있다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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