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정재호 의원 “불법 차명주식 실명전환 액수 10년간 1兆”

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Friday, October 11, 2019, 08:10:16

정재호 의원, ‘차명주식의 실명전환 내역’ 자료 분석 결과 발표..총 건수는 64건
이호진 전 태광그룹 회장·홍원식 남양유업 회장 등..“금융실명법상 과징금 이상 제재 無”

 

인더뉴스 정재혁 기자ㅣ주요 상장기업 대주주 혹은 특수관계인 등이 차명으로 주식을 가지고 있다가 실명으로 전환한 건수가 2010년 이후 총 64건, 금액으로는 1조원(당시 지분가액)이 넘는 것으로 나타났다. 차명주식은 보유 자체가 불법이지만 그동안 당국이 솜방망이 대처를 한 것으로 드러나 논란이 예상된다.

 

국회 정무위 소속 정재호 의원(더불어민주당, 고양 덕양 을)이 금융감독원으로부터 제출받은 ‘차명주식의 실명전환 내역’ 자료를 분석한 결과, 지난 2010년부터 올해 7월말까지 코스피·코스닥 등 증권시장에 상장된 기업의 주요 주주가 차명으로 소유하던 주식을 실명으로 전환한 건수는 모두 64건, 전환 당시의 지분가액은 약 1조 35억원으로 나타났다.

 

차명주식의 실명전환 내역은 금감원의 전자공시시스템(Dart)에 공시된 지분변동 내역을 토대로 추출한 자료다.

 

차명을 통한 금융거래는 재벌 등 고액자산가들의 조세포탈, 편법 상속 등의 목적으로 사용될 가능성이 높기에 금융실명법의 위반사항이 될 수 있다. 또한 자본시장법상 실소유 대주주의 주식보유 공시의무 위반이 될 수 있어 금융당국의 제재 사항에도 해당된다.

 

하지만 전자공시시스템에 등록된 차명주식의 실명전환 내역 64건 중 단 한 건도 금융실명법 상 과징금 이상의 제재 조치가 부과된 적이 없었던 것으로 나타났다.

 

실명전환자 명단에는 이명희 신세계그룹 회장(2015년 11월·1092억), 이호진 전 태광그룹 회장(올 4월·지분가액 2525억원), 홍원식 남양유업 회장(2013년 12월·1826억) 등이 포함돼 있다.

 

당국의 제재조치는 차치하더라도 전자공시를 통해 국민 누구나 손쉽게 확인 가능한 실정법 위반 혐의에 대해 금융당국에서 기본적인 조사조차 하지 않고 있는 것이 더 문제라는 지적도 나왔다.

 

특히 2017년 이건희 차명계좌 논란 이후 금융실명법 상 소득세·증여세 과세 논란이 있었음에도 유사 사례에 대해 당국이 손을 놓고 있었다는 지적은 피하기 어렵다는 것이다.

 

이와 관련, 정재호 의원은 “금융당국이 국세청에 이들에 대한 증여세 등 관련 법규에 따른 조세 부과를 요청한 사례는 전무하고 관련된 행정 제재 역시 솜방망이에 가깝다”며 “금융당국이 자본시장의 근간을 흔드는 범죄행위를 사실상 방조하고 있다”고 말했다.

 

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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